[发明专利]数据储存装置及数据维护方法

说明书

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个页面以及多条字元线，其中每一字元线用以控制至少两个页面。控制器用以根据一读取命令对页面中的一第一页面进行读取，并且当字元线中用以控制第一页面的一第一字元线没有关闭时，将一冗余数据(dummy data)写入第一字元线所控制的其他页面。

本申请是申请号为201510713909.6，名称为“数据储存装置及数据维护方法”的分案申请。

技术领域

本发明有关于一种存储器装置的数据维护方法；特别有关于读取数据的数据维护方法。

背景技术

快闪存储器为一种普遍的非挥发性数据储存装置，以电性方式抹除与程序化。以与非门型的快闪存储器(即NAND FLASH)为例，常用作记忆卡(memory card)、通用串行总线闪存装置(USB flash device)、固态硬碟(SSD)、嵌入式快闪存储器模组(eMMC)…等使用。

快闪存储器(如，NAND FLASH)的储存阵列包括多个区块(blocks)，其中浮置栅极晶体管可用以构成快闪存储器。浮置栅极晶体管中的浮置栅极，可捕捉的电荷以储存数据。然而，储存于浮置栅极的电荷会由于快闪存储器的操作以及各种环境参数，自浮置栅极流失，造成数据保存(Data retention)的问题。

发明内容

本发明所提供的数据储存装置以及数据维护方法，可藉由将冗余数据写入未关闭的字元线的其他页面，使得减少为关闭的字元线所控制的页面的错误位元数。

本发明提供一种数据储存装置。数据储存装置包括一快闪存储器以及一控制器。快闪存储器包括多个页面以及多条字元线，其中每一字元线用以控制至少两个页面。控制器用以根据一读取命令对页面中的一第一页面进行读取，并且当字元线中用以控制第一页面的一第一字元线没有关闭时，将一冗余数据(dummy data)写入第一字元线所控制的其他页面。其中，控制器更用以在将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面后，重新对第一页面进行读取。控制器还用以在第一页面被成功读取后响应于读取命令将所读取的第一页面的数据传送至一主机。

在一实施例中，控制器当第一页面无法被成功读取时，才进行将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面的步骤。

另外，控制器还用以根据一重复读取表中的多读取电压对第一页面进行读取，并且在读取电压皆无法成功读取第一页面时才进行将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面的步骤。

本发明亦提供一种数据维护方法，适用于具有一快闪存储器的一数据储存装置，其中快闪存储器包括多个页面以及多条字元线，每一字元线用以控制至少两个页面。数据维护方法包括：接收一读取命令，其中读取命令指示对页面中的一第一页面进行读取；以及当字元线中用以控制第一页面的一第一字元线没有关闭时，将一冗余数据(dummy data)写入第一字元线所控制的其他页面。数据维护方法还包括在将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面后，重新对第一页面进行读取；以及在第一页面被成功读取后响应于读取命令将所读取的第一页面的数据传送至一主机。

在一实施例中当第一页面无法被成功读取时，才进行将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面的步骤。

又另一实施例中，数据维护方法还包括根据一重复读取表中的多读取电压对第一页面进行读取，并且在读取电压皆无法成功读取第一页面时才进行将冗余数据写入第一字元线所控制的其他页面的步骤。

附图说明

图1是本发明的一种实施例的电子系统的方块图。

图2是本发明的一种实施例的快闪存储器的示意图。

图3是本发明的另一种实施例的快闪存储器的示意图。

图4是本发明的一种实施例的数据维护方法的流程图。