[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种紫外发光二极管，其特征在于，其包括：

紫外发光二极管的外延结构，所述紫外发光二极管的外延结构包括N型半导体材料层、量子阱和P型半导体材料层；

微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；

P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上；

键合层，键合层设置在P型欧姆接触层与所述微孔结构层接触侧的相对一侧，所述键合层由金属制成；

键合衬底，所述键合衬底设置在键合层与所述P型欧姆接触层接触侧的相对一侧。

2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述空心孔洞在微孔区域均匀分布。

3.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述微孔层的厚度250±2.5nm。

4.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述N型半导体材料的上表面形成有粗化结构，所述粗化结构包括一次粗化结构和二次粗化结构，其中一次粗化结构的粗化粒度大于二次粗化结构。

5.根据权利要求4所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述粗化结构上形成有一次电极，在所述一次电极上形成有二次电极，所述二次电极在所述一次电极上与所一次电极固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述一次电极的厚度大于所述二次电极的厚度。

7.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述二次电极的厚度在500A以下。

8.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述N型半导体材料上，电极之外的区域具有增透层。

9.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，结构为骨架式的圆角多边形，其圆角多边形的直径小于0.15mil。

10.一种紫外发光二极管芯片的制备方法，其特在于，包括如下步骤：

步骤一、制备紫外发光二极管外延结构

在衬底上依次外形成紫外发光半导体的外延结构；

步骤二、制备薄型化的微孔结构

沉积一层SiO2，厚度250nm；并通过光刻技术在使用SiO2制成薄型化微孔的掩膜阵列，其所对应N电极部位无微孔；

步骤三、蒸镀NiAu层；

步骤四、蒸镀键合层Au；

步骤五、制作键合衬底；

步骤六、一次电极制作；

先用一次粗化液，包括双氧水、柠檬酸、水，进行泡制，制作N型欧姆接触层；制作欧姆接触电极Al/Cr；形成N面欧姆接触；

步骤七、二次电极制作

用KOH溶液进行除一次电极区域之外的其它区域的N面AlGaN粗化，并在所述一次电极上形成二次电极。