[发明专利]一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面有效
| 申请号： | 201910874689.3 | 申请日： | 2019-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110718762B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王海明;尹杰茜;陈志宁;无奇;洪伟 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 孟红梅 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面波 垂直 入射 激励 波束 比特 表面 | ||
1.一种由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面，其特征在于，所述超表面利用有一定厚度的介质板，将1比特单元随机放置在两个不同高度的平面，利用相对高度差实现相对预相位差；所述1比特单元包括金属地和加载十字缝的方形贴片，通过四个矩形贴片连接被十字缝切割的方形贴片实现1比特两个状态之间的切换，当被十字缝切割的方形贴片不连通时，1比特单元为状态0，当被十字缝切割的方形贴片连通时，1比特单元为状态1；
所述超表面包括上层介质板，下层介质板，位于上层介质板上的若干加载十字缝的方形贴片，位于上下两层介质板中间的若干加载十字缝的方形贴片，以及底层的金属地板；两层介质板中间对应于上层介质板上的方形贴片位置处为单元金属地；上层介质板上的方形贴片和两层介质板中间的金属地构成顶层的1比特单元，上下两层介质板中间的方形贴片和底层的金属地构成中间层的1比特单元。
2.根据权利要求1所述的由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面，其特征在于，两层1比特单元的高度差根据介质的介电常数和需要实现的预相位差选择。
3.根据权利要求1所述的由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面，其特征在于，所实现上层单元和下层单元的预相位之差的范围为80°～100°。
4.根据权利要求1所述的由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面，其特征在于，介质板厚度为0.125个中心频率下的介质波长，实现90°的预相位差。
5.根据权利要求1所述的由平面波垂直入射激励的单波束1比特超表面，其特征在于，被十字缝切割的方形贴片由四个PIN连接，实现可重构的1比特单元。
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