[发明专利]晶体管器件

权利要求书

1.一种晶体管器件，其包括：

在半导体本体（100）中，漂移区（11）、本体区（12）和通过本体区（12）与漂移区（11）分离并连接到源极节点（S）的源极区（13）；

栅电极（21），通过栅极电介质（22）与本体区（12）介电绝缘；以及

场电极结构（3），其包括：

第一场电极（31），连接到源极节点（S）并通过第一场电极电介质（33）与漂移区（11）介电绝缘；

第二场电极（32），通过第二场电极电介质（33）与漂移区（11）介电绝缘；以及

耦合电路（4），连接在第二场电极（32）和源极节点（S）之间，并且被配置成根据源极节点（S）和第二场电极（32）之间的电压将第二场电极（32）连接到源极节点（S）。

2.根据权利要求1所述的晶体管器件，

其中，耦合电路（4）被配置为根据源极节点（S）和第二场电极（32）之间的电压将第二场电极（32）连接到源极节点（S）包括耦合电路（4）被配置为当源极节点（S）和第二场电极（32）之间的电压超过预定义电压阈值时将第二场电极（32）连接到源极节点。

3.根据权利要求2所述的晶体管器件，

其中，耦合电路（4）包括连接在第二场电极（32）和源极节点（S）之间的齐纳二极管（41）。

4. 根据权利要求2或3所述的晶体管器件，

其中，晶体管器件具有电压阻断能力，和

其中，电压阈值在电压阻断能力的5％和20％之间或在5V和15V之间。

5.根据权利要求1所述的晶体管器件，

其中，耦合电路（4）被配置为根据源极节点（S）和第二场电极（32）之间的电压将第二场电极（32）连接到源极节点（S）包括耦合电路（4）被配置为当源极节点（S）和第二场电极（32）之间的电压的上升速率超过预定义速率阈值时将第二场电极（32）连接到源极节点。

6.根据权利要求5所述的晶体管器件，

其中，耦合电路（4）包括连接在第二场电极（32）和源极节点（S）之间的晶闸管（42）。

7.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，其中，耦合电路（4）经第一场电极（31）连接到源极节点（S）。

8.根据前述权利要求中任一项所述的晶体管器件，还包括：

与本体区（12）间隔开的漏极区（14），

其中，第二场电极（32）比第一场电极更靠近漏极区（14）定位。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的晶体管器件，

其中，栅电极（21）和至少第一场电极（31）以及第二场电极（32）布置在延伸到半导体本体（100）中的相同沟槽中。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的晶体管器件，

其中，栅电极（21）布置在延伸到半导体本体（100）中的一个沟槽中，并且第一场电极（31）和第二场电极（32）布置在延伸到半导体本体（100）中的另一沟槽中。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的晶体管器件，

其中，耦合电路（4）、第一场电极（31）和第二场电极（32）布置在延伸到半导体本体（100）中的相同沟槽中。

12.根据权利要求3和11所述的晶体管器件，

其中齐纳二极管（41）包括：

邻接第一场电极（31）的第一掺杂类型的第一掺杂半导体区（411）；和

邻接第二场电极（31）并与第一掺杂半导体区（411）形成齐纳结的第二掺杂类型的第二掺杂半导体区（412）。

13.根据权利要求12所述的晶体管器件，其中第一和第二场电极（31，32）中的至少一个包括金属。