[发明专利]一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件

权利要求书

1.一种基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，包括：CMOS兼容电路系统和多个金属层，相邻金属层之间设置有介质层；其特征在于，

至少有一个所述金属层为超材料结构层；所述超材料结构层与至少一个CMOS器件集成，所述CMOS器件用于调整所述超材料结构层的电磁响应特性；

所述CMOS兼容电路系统用于将不同控制电压传送至CMOS器件，以对所述可调谐超材料器件进行可控动态调谐；

所述CMOS兼容电路系统包括：至少一个偏置电路单元；所述偏置电路单元用于控制所述CMOS器件的导通或截止；

所述CMOS兼容电路系统还包括：信号处理单元、接收单元和输出单元，所述接收单元用于接收控制信号指令，并将所述控制信号指令输出至所述信号处理单元；所述信号处理单元用于根据所述控制信号指令，输出偏置控制电压，并通过所述输出单元输出至所述偏置电路单元。

2.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，若所述偏置电路单元为多个，所述信号处理单元还用于：根据获取的所述控制信号指令，选取出待处理偏置电路单元，并将所述偏置控制电压通过所述输出单元输出至所述待处理偏置电路单元。

3.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，所述超材料结构层的形状为：线形结构、十字形结构、渔网形结构、矩形环结构、开口谐振环结构中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，所述偏置电路单元还用于调整所述CMOS器件的栅极电压，以调整所述CMOS器件的源极和漏极的导通电阻阈值。

5.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，所述可调谐超材料器件是基于3nm、7nm、14nm、28nm、65nm、90nm或180nm CMOS工艺制成。

6.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，所述多个金属层的材质为铝、铜、钨、铬、银、钌或钴中的一种或多种金属或合金构成的。

7.根据权利要求1所述的基于CMOS工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，所述不同金属层的材质为相同材质或为不同材质。