[发明专利]在集成电路中形成金属互连的方法在审
| 申请号： | 201910892557.3 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110943036A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 林義雄;黄禹轩;赖志明;刘如淦;张尚文;邱奕勋 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 金属 互连 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于在一集成电路(IC)中形成金属互连的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
在一布局区域中放置一金属互连；
确定该金属互连的一多余部分的一位置；
在该位置，将该金属互连的该长度减去该多余部分的一长度，以形成该金属互连的一或更多个主动部分，其中该多余部分的该长度是该IC的相邻栅结构之间的一距离的一函数；
在该IC的一层间介电(ILD)层上形成该一或更多个主动部分；以及
在该一或更多个主动部分上形成通孔，其中该等通孔位于距离该一或更多个主动部分的一端部约3nm至约5nm的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
