[发明专利]在集成电路中形成金属互连的方法在审

申请号：	201910892557.3	申请日：	2019-09-20
公开（公告）号：	CN110943036A	公开（公告）日：	2020-03-31
发明（设计）人：	林義雄;黄禹轩;赖志明;刘如淦;张尚文;邱奕勋	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/768	分类号：	H01L21/768;H01L27/02
代理公司：	北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006	代理人：	徐金国
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	集成电路形成金属互连方法
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【说明书】：

本揭示案描述了用于在集成电路(integrated circuit；IC)中形成金属互连的方法。此方法包括在布局区域中放置金属互连，确定金属互连的多余部分的位置，及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度，以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC的相邻栅结构之间的距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayer dielectric；ILD)层上形成一或更多个主动部分，以及在一或更多个主动部分上形成通孔，其中通孔位于与一或更多个主动部分的端部相距约3nm至约5nm的位置。

技术领域

本揭露是关于一种在集成电路中形成金属互连的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)产业已经历指数发展。在半导体IC设计中，半导体元件的金属互连层(例如M0及M1)在晶片上的不同元件之间传输电信号。金属互连层可经由通孔连接至另一结构，如上层或下层的金属互连层。随着IC的不断按比例缩小，元件区域中布置了更多数目的金属互连，增加了此区域中金属互连的密度。因此，由于按比例缩小，元件区域中的寄生电容会相应增加，从而影响元件的速度。

发明内容

在一些实施方式中，用于在IC中形成金属互连的一方法包括：将金属互连放置在布局区域中，确定金属互连的多余部分的位置，及在此位置将金属互连的长度减去多余部分的长度，以形成金属互连的一或更多个主动部分。多余部分的长度是IC相邻栅结构(gatestructures)之间距离的函数。此方法亦包括在IC的层间介电(interlayer dielectric；ILD)层上形成一或更多个主动部分，并在一或更多个主动部分上形成通孔，其中通孔位于与一或更多个主动部分的端部相距约3nm至约5nm的位置。

附图说明

本揭示案的态样在结合附图阅读以下详细说明时得以最清晰地理解。应注意，依据产业中的常用惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，各种特征的尺寸可任意增大或减小，以便于图示及论述明晰。

图1A至图1B图示了集成电路(integrated circuit；IC)中金属互连的布局视图；

图2A至图2B各自图示了根据不同实施例的IC中金属互连的布局视图；

图3至图5图示了根据一些实施例用以形成图2B布局的中间布局；

图6至图7图示了根据一些实施例的IC中金属互连的布局视图；

图8是根据一些实施例的用于在IC中形成金属互连布局的方法的流程图；

图9图示了根据一些实施例的用于实施本揭示案的各种实施例的示例计算机系统；

图10是根据一些实施例的基于图形数据库系统(graphic database system；GDS)文件在IC中形成金属互连布局的方法的流程图；

图11是根据一些实施例的用于在IC中制造具有金属互连布局的互连层的方法的流程图；

图12A至图16A图示了根据一些实施例的在IC中具有金属互连布局的互连层在其制造制程的各个阶段的平面图；

图12B至图16B图示了根据一些实施例的在IC中具有金属互连布局的互连层在其制造制程的各个阶段的立体视图。