[发明专利]一种CoSbSe纳米片材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于该方法是按下列步骤实现：

一、对碳布进行超声清洗，得到清洗后的碳布；

二、按照化学计量比Sb:Se＝1:1的比例将锑粉和硒粉混合，研磨后得到锑硒粉混合物；

三、将钴盐、尿素和氟化铵加入到超纯水中搅拌溶解，得到反应液；

四、将清洗后的碳布浸入步骤三的反应液中，在100～160℃下水热反应6～10h，反应结束后取出碳布，清洗干燥后得到前驱体；

五、将锑硒粉混合物倒入石英管中，将前驱体一同放入石英管中，使锑硒粉混合物覆盖在前驱体表面，将石英管中真空度抽至1×10^-5Pa以下并密封，放入箱式炉，箱式炉升温过程分为两个阶段，第一阶段是以3～10℃/min的升温速率将炉温升到350～400℃，并保温20～40min，得到锑硒固溶体，第二阶段是以1～5℃/min的升温速率升温到700～800℃，并保温5～10h，自然冷却后取出碳布，清洗干燥后得到CoSbSe纳米片。

2.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤一中碳布经过丙酮、乙醇、超纯水分别超声清洗15～25min。

3.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤三中所述的钴盐为硝酸钴或者硫酸钴。

4.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤四中在120℃下水热反应6h。

5.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤四中所述的干燥是在70℃条件下真空干燥10h。

6.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤五中将20～150mg锑硒粉混合物倒入石英管中。

7.根据权利要求1所述的一种CoSbSe纳米片材料的制备方法，其特征在于步骤五中第一阶段是以5℃/min的升温速率将炉温升到400℃，并保温20～40min。

8.如权利要求1制备得到的CoSbSe纳米片的应用，其特征在于将CoSbSe纳米片材料作为热电材料。