[发明专利]一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法在审
申请号: | 201910914853.9 | 申请日: | 2019-09-26 |
公开(公告)号: | CN110656314A | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 王明;纪红;卢硕;赵秀红;孙爱斌;苏乐;张玉彪 | 申请(专利权)人: | 国合通用测试评价认证股份公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/54 |
代理公司: | 11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄家俊 |
地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 合金纳米 金属薄片 薄膜 溅射 磁控溅射 金属靶材 靶材 制备 磁控溅射技术 磁控共溅射 成分分析 单靶溅射 合金靶材 互相干扰 金属加工 金属元素 清洗干燥 共溅射 硅基片 溅射靶 预溅射 单靶 多靶 划刻 灭弧 沉积 拥挤 测试 节约 | ||
1.一种磁控溅射制备合金纳米薄膜的方法,其特征在于,包括:
1)将溅射用金属加工成形状规格相同的金属薄片;
2)对溅射用金属靶材和金属薄片分别利用丙酮和酒精进行超声清洗,然后用氮气吹干放置使用;
3)将吹干的金属靶材安装在溅射靶枪上,调整靶枪的角度,靶枪与水平面的角度为60°,采用预溅射或划刻的方法增大靶材表面的摩擦力,保证靶材上放置金属薄片不脱落;
4)将洗干净的金属薄片放置在步骤3)安装好的金属靶材上,根据需要溅射的合金纳米薄膜中金属元素的比例、实际溅射速率和溅射面积初步计算金属薄片的数量;相同功率条件下,计算所得金属薄片数量L满足公式:其中,金属靶材与金属薄片的溅射速率分别V1、V2,合金纳米薄膜中不同金属元素原子比为A1/A2,金属靶材与金属薄片的表面积分别为S1、S2,溅射过程中,金属靶材表面有效溅射面积大约为3/4靶材表面积;
5)按照磁控溅射仪的单靶溅射步骤在硅基片上沉积合金纳米薄膜;
6)将步骤5)沉积的合金纳米薄膜进行成分分析测试,对比合金纳米薄膜的实际测试成分与理论溅射成分,根据实际测试成分进行调节金属薄片的放置数量;
7)重复上述步骤4)、5)和6),通过对金属薄片数量的调节和合金纳米薄膜成分测试,确定最终的金属薄片放置数量和位置,制备合金纳米薄膜。
2.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤1)中金属为合金纳米薄膜元素中的非靶元素金属,金属薄片的边长为2~5mm。
3.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤2)中超声时间为5~10分钟。
4.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤3)预溅射方法为将靶材通过预溅射20~30分钟,使其靶材光滑表面通过溅射后变的粗糙,增加摩擦力;所述划刻的方法为金属薄片的接触面位置通过刀具划刻薄片大小凹槽,放置金属薄片。
5.根据权利要求1所述方法,其特征在于,所述步骤4)中金属薄片的放置方式为对称均匀分布。
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