[发明专利]基于二维层状半导体材料的偏振光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种基于二维层状半导体材料的偏振光探测器，包括：基底和均设置在基底上的源电极、漏电极以及有源层；所述有源层设置在源电极和漏电极之间；

所述有源层采用的材料为二硫化铅锡二维层状半导体材料；

所述有源层与源电极、漏电极的交界面均为欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，

所述基底包括硅层和设置在硅层上的二氧化硅层；所述源电极、漏电极以及有源层均设置在二氧化硅层上。

3.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，

所述有源层的厚度为1~50 nm。

4.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，

所述二维层状半导体材料具有各向异性；

所述二维层状半导体材料包括P型二维层状半导体材料。

5.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，

所述源电极和漏电极采用的材料均为金；

所述源电极材料和漏电极材料的功函数与有源层材料的费米能级相互匹配；

所述源电极和漏电极的厚度均为20~100 nm。

6.根据权利要求1所述的偏振光探测器，其特征在于，

所述偏振光探测器的探测波段为紫外至近红外波段。

7.一种如权利要求1-6任一项所述的偏振光探测器的制备方法，包括如下步骤：

在基底上制备有源层；

在基底上于有源层的两侧分别制备漏电极和源电极并引线；

对上述形成的器件封装后得到所述的偏振光探测器。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，

所述在基底上制备有源层的步骤具体包括：在基底上用聚二甲基硅氧烷转移二维层状半导体材料作为有源层；

制备所述漏电极和源电极的步骤具体包括：

在所述制备好有源层的基底上旋涂掩模材料；

在所述掩模材料上刻蚀出源电极和漏电极的电极区域；

在所述电极区域上沉积金；

将所述掩模材料除去，得到所述源电极和漏电极。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

所述掩模材料包括聚甲基丙烯酸甲酯；

所述源电极和漏电极的电极区域是采用电子束刻蚀得到的；

所述源电极和漏电极是通过磁控溅射方法沉积得到的；

所述将所述掩模材料除去步骤包括依次采用丙酮、乙醇及去离子水对所述掩模材料进行清洗除去。

10.如权利要求1-6任一项所述的偏振光探测器或如权利要求7-9任一项所述制备方法得到的偏振光探测器在光电探测器领域的应用。