[发明专利]一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法在审
| 申请号： | 201910938100.1 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN110625109A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 刘芳洋;蒋良兴;艾亮;贾明 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | B22F1/00 | 分类号： | B22F1/00;B22F9/20;B22F9/04;B22F3/15;C22C47/14;C22C49/06;C22C49/14;C22C101/08 |
| 代理公司： | 43236 长沙大珂知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 伍志祥 |
| 地址： | 410017 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 亚微米级 氢氧化铝粉体 铝基合金粉 混合粉体 氧化铝 晶体生长抑制剂 焙烧 亚微米铝粉 热处理 水化 二硅化钼 二硼化钛 热等静压 水化处理 一段焙烧 烧结 外加剂 助烧剂 除气 晶须 铝粉 球磨 酸洗 预压 制备 合金 | ||
1.一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一：将亚微米级氢氧化铝粉体和外加剂混合，并进行水化处理后得到的水化氢氧化铝粉体于保护气氛下一段焙烧，得到γ-氧化铝；
步骤二：将步骤一得到的γ-氧化铝酸洗后，加入晶体生长抑制剂和助烧剂，进行二段焙烧后得到亚微米级铝粉；
步骤三：将步骤一得到的亚微米铝粉与Al-Ta合金、Ti-Ni合金、二硅化钼晶须和二硼化钛粉混合后球磨，得到混合粉体；
步骤四：将步骤三提到的混合粉体进行预压、除气、烧结、热处理与热等静压处理后得到所述亚微米级铝基合金粉体。
2.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述亚微米级氢氧化铝粉体的粒径为500-900nm。
3.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述外加剂为选自硬酯酸铝、油酸铝、草酸铝、乙酸铝中的一种或几种。
4.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述一段焙烧的温度为600-800℃；所述二段焙烧的温度为700-900℃。
5.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述晶体生长抑制剂为选自二氧化硅、氧化锆、氧化硼和五氧化二磷中的一种或几种组成的混合物。
6.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述助烧剂为选自氧化镁、氧化钙、氧化锌中的一种或几种组成的混合物。
7.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述热处理的温度为1000-1100℃。
8.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述热等静压处理的温度为1100-1400℃，压力为100-150MPa。
9.如权利要求1所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述亚微米铝粉与Al-Ta合金、Ti-Ni合金、二硅化钼粉和二硼化钛粉的质量比为87-90：8-9：1-2：3-7。
10.如权利要求1或9所述的亚微米级铝基合金粉体的制备方法，其特征在于：所述Al-Ta合金中Al与Ta的质量比为；7-10：1
所述Ti-Ni合金中Ti与Ni的质量比为5-8：1。
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