[发明专利]一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法

说明书

本发明提供了一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法，包括如下步骤：步骤一：将亚微米级氢氧化铝粉体和外加剂混合，并进行水化处理后得到的水化氢氧化铝粉体于保护气氛下一段焙烧，得到γ‑氧化铝；步骤二：将步骤一得到的γ‑氧化铝酸洗后，加入晶体生长抑制剂和助烧剂，进行二段焙烧后得到亚微米级铝粉；步骤三：将步骤一得到的亚微米铝粉与Al‑Ta合金、Ti‑Ni合金、二硅化钼晶须和二硼化钛粉混合后球磨，得到混合粉体；步骤四：将步骤三提到的混合粉体进行预压、除气、烧结、热处理与热等静压处理后得到所述亚微米级铝基合金粉体。

技术领域

本发明属于铝基合金粉体技术领域，具体涉及一种亚微米铝粉及铝基合金粉体制备方法。

背景技术

铝基合金粉体是以金属铝以及其他合金为基体，以金属、非金属颗粒、晶须或纤维为增强体的一种非均匀混合物。其在航天航空和工业照明领域具有非常广泛的应用。

其中，由于现有的铝基合金粉体多采用多种增强体，以任意比例添加至铝基合金粉体中，这使得制备得到的铝基合金粉体会出现非常多的问题，例如：结合强度差，易出现结团，易分层，易出现气泡、颗粒径较大，蓬松效果差等。

同时，现有的铝基合金粉体制备周期长，工序复杂，且制备得到的铝合金粉体性能较差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种亚微米铝粉及铝基合金粉体制备方法，该法采用多次焙烧，可制备得到亚微米铝粉。所述铝粉粒径小且蓬松、分散性好。同时，该方法可提高产物的转化率，从而降低生产成本。

本发明一种亚微米级铝基合金粉体的制备方法，包括如下步骤：

步骤一：将亚微米级氢氧化铝粉体和外加剂混合，并进行水化处理后得到的水化氢氧化铝粉体于保护气氛下一段焙烧，得到γ-氧化铝；

步骤二：将步骤一得到的γ-氧化铝酸洗后，加入晶体生长抑制剂和助烧剂，进行二段焙烧后得到亚微米级铝粉；

步骤三：将步骤一得到的亚微米铝粉与Al-Ta合金、Ti-Ni合金、二硅化钼晶须和二硼化钛粉混合、球磨，得到混合粉体；

步骤四：将步骤三提到的混合粉体预压、除气、热处理与热等静压处理后得到所述亚微米级铝基合金粉体。

所述水化采用水浴进行。水浴的温度为80℃。

所述保护气氛为氩气或氮气。

所述酸洗为有机酸洗。所述有机酸为乙酸或丙酸。

所述亚微米级氢氧化铝粉体的粒径为500-900nm。

所述外加剂为选自硬酯酸铝、油酸铝、草酸铝、乙酸铝中的一种或几种。

所述一段焙烧的温度为600-800℃；所述二段焙烧的温度为700-900℃。

所述晶体生长抑制剂为选自二氧化硅、氧化锆、氧化硼和五氧化二磷中的一种或几种组成的混合物。

所述预压为单轴冷挤压。

所述除气的温度为300℃。所述除气的压力为50MPa

所述助烧剂为选自氧化镁、氧化钙、氧化锌中的一种或几种组成的混合物。

所述烧结的温度为1380℃。

所述热处理的温度为1000-1100℃。

所述热等静压处理的温度为1100-1400℃，压力为100-150MPa

所述亚微米铝粉与Al-Ta合金、Ti-Ni合金、二硅化钼粉和二硼化钛粉的质量比为87-90：8-9：1-2：3-7。

所述Al-Ta合金中Al与Ta的质量比为；7-10：1