[发明专利]除害装置、除害装置的配管部的更换方法及除害装置的配管的清洗方法在审
申请号: | 201910963541.7 | 申请日: | 2019-10-11 |
公开(公告)号: | CN111048441A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 稻田高典;驹井哲夫;杉浦哲郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B9/032 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 肖华 |
地址: | 日本国东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 除害 装置 配管部 更换 方法 清洗 | ||
本发明提供能够抑制因配管的壁面的腐蚀而导致的装置性能下降、装置整体故障的除害装置和该除害装置的配管部的更换方法及配管的清洗方法。除害装置(100)具有形成供处理气体流动的流路(103)的内壁(104),还具备:第一配管(130),形成流路(103)的一部分;能够更换的配管部170,形成流路(103)的一部分,且位于第一配管(130)的流路(103)的下游侧并与第一配管(130)连接,配管部具有对将附着于内壁(104)的固体生成物去除的清洗水进行喷洒的第一段喷洒部(174);及第二配管(150),形成流路(103)的一部分,且位于配管部(170)的流路(103)的下游侧并与配管部(170)连接。
技术领域
本发明涉及一种除害装置、除害装置的配管部的更换方法及除害装置的配管的清洗方法。
背景技术
真空泵装置作为半导体、液晶、太阳能板、LED等的制造设备的一种而被广泛使用。在这些产品的制造工序中,真空泵连接到真空腔室,对真空腔室内的处理气体进行真空吸引。真空泵进行真空吸引的处理气体中,存在含有硅烷气体(SiH4)、二氯硅烷气体(SiH2Cl2)、氨气(NH3)等有害可燃性气体,或者NF3、ClF3、SF6、CHF3、C2F6、CF4等卤素难分解性气体的情况。在该情况下,不能将真空泵进行真空吸引的处理气体这样直接向大气中排放。因此,在真空泵的后段设置除害装置,除害装置对真空吸引的处理气体进行无害化处理。作为处理气体的无害化处理,已知有使处理气体和液体接触从而将异物、水溶性成分等去除的湿式处理,和将处理气体进行燃烧的燃烧式处理等。
另外,从真空泵被排气的处理气体中,存在因在真空腔室内的反应等而被凝固的物质或容易凝固的物质作为反应副生成物而混入的情况。这样的生成物如果进入除害装置,可能会导致配管及除害装置堵塞,或者导致除害装置的处理效率降低。因此,存在在真空泵装置和除害装置之间设置用于将异物除掉的异物去除机构的情况。
作为异物去除机构一例,已知有风扇洗涤器。风扇洗涤器具备对处理气体进行搅拌的风扇、和对风扇进行驱动的电动机和将液体喷出的喷嘴。风扇洗涤器通过从喷嘴喷出的液体捕捉异物。风扇洗涤器在作为异物去除机构起作用的同时,也作为湿式除害装置而起作用。
这里,处理气体中,存在含有氯化铝(AlCl3)、氯化铵(NH4Cl)、四乙硅基酸盐(TEOS)等的情况。由于这些处理气体在常温下的蒸汽压低,在温度下降的除害装置的配管的内部由这些处理气体生成了固体生成物。并且,由于该固体生成物附着于配管的壁面,有可能将配管堵塞。另外,处理气体中,存在含有用于蚀刻Al配线的BCl3、用Cl系气体对多晶硅进行蚀刻的情况下排出的SiCl4等的情况。由于这些处理气体和水反应而生成固体生成物,在除害装置的内部潮湿的情况下,该固体生成物可能将配管阻塞。因此,需要去除附着于配管的壁面的固体生成物,已知有具有去除附着于配管的壁面的固体生成物功能的除害装置。
例如,作为包含具有去除配管内的固体生成物功能的除害装置的系统的一例,已知有专利文献1所记载的废气处理系统。专利文献1所记载的废气处理系统具有:半导体制造装置;用于将从自半导体制造装置排出气体(处理气体)排出的真空泵;湿式废气体处理装置;将真空泵与湿式废气体处理装置进行连接的第二管;以及设置于第二管的固体生成物去除装置。该固体生成物去除装置的特征是具备清洗水导入管,该清洗水导入管具有位于第二管内的顶端开口,该清洗水导入管从顶端开口将清洗水向第二管的内面供给。由此,在气体(处理气体)与管内的水分反应并在第二管的内面附着有固体生成物的情况下,固体生成物去除装置能够通过从顶端开口供给的清洗水将该固体生成物洗落。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第4012818号
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造