[发明专利]注入装置、三维存储器的制备装置及方法

说明书

本发明提供一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法。注入装置包括依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。本发明解决了对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法。

背景技术

电荷俘获型三维存储器(CTM)由于高存储密度，高稳定性和成熟的制备工艺而成为存储器闪存(flash)主流结构。

三维存储器的沟道孔内在外延结构之前，需要对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种注入装置、三维存储器的制备装置及方法，以解决对形成有沟道孔的晶圆结构进行冷却，然而冷却过程需要较长的时间，导致三维存储器的制备工作效率低，产率较低的技术问题。

本发明提供一种注入装置，包括：依次设置的至少一个分流器，每个所述分流器中均设有通孔，所述注入装置包括入口以及与所述入口相对设置的出口，在所述入口到所述出口的方向上，所述通孔的数量逐渐增加。

其中，所述至少一个分流器形成环形结构，且所述环形结构为多层。

其中，所述至少一个分流器为环形分流器。

其中，当所述分流器的数目大于或等于两个时，至少两个所述分流器上的通孔错位设置。

其中，在所述入口到出口的方向上，所述至少一个分流器的通孔的孔径逐渐减小。

本发明提供一种三维存储器的制备装置，包括晶舟和上述的注入装置，所述至少一个分流器与所述晶舟依次设置，且所述晶舟靠近所述注入装置的出口，所述晶舟用于承载所述三维存储器的晶圆结构。

本发明提供一种应用上述的制备装置制备三维存储器的方法，包括：

提供依次设置的至少一个分流器与晶舟，其中，所述晶舟靠近所述注入装置的出口，所述晶舟内承载有多个晶圆结构，每个所述晶圆结构内形成有沟道孔；

通过所述注入装置的入口向所述注入装置内注入作业气体；

所述作业气体对所述晶圆结构进行作业。

其中，在所述作业气体对所述晶圆结构进行作业之后，所述方法还包括：

在所述沟道孔的侧壁与所述外延结构上形成沟道层；

在所述沟道层上形成插塞口；

通过所述注入装置的入口向所述注入装置内注入所述作业气体；

所述作业气体对所述晶圆结构进行作业。

其中，所述作业气体为冷却气体或刻蚀气体。

其中，在注入所述作业气体之前，所述方法还包括：

所述晶舟带动所述晶圆结构进行旋转。

其中，所述注入装置的入口为多个，所述方法还包括：

通过多个所述入口向所述注入装置内注入作业气体。

其中，多个所述入口包括第一入口与第二入口，所述第一入口与所述第二入口相对设置，以使所述工作气体以相反的方向进入所述注入装置内。

其中，所述冷却气体包括氮气。