[发明专利]一种Cu2 有效
申请号: | 201910984559.5 | 申请日: | 2019-10-16 |
公开(公告)号: | CN110841664B | 公开(公告)日: | 2020-11-13 |
发明(设计)人: | 王琦;张怡;汪宙 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | B01J27/128 | 分类号: | B01J27/128;B01J35/10;G01N27/30;G01N27/48 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 郑平 |
地址: | 250061 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cu base sub | ||
1.一种Cu2O@BiOI复合材料在制备光电化学传感器电极中的应用,其特征在于,所述复合材料由Cu2O纳米颗粒和BiOI纳米片组成;其中,Cu2O纳米颗粒均匀排布在BiOI纳米片边缘;BiOI纳米片大小均匀且相互穿插,二者结合形成p-p型异质结。
2.如权利要求1所述的一种Cu2O@BiOI复合材料在制备光电化学传感器电极中的应用,其特征在于,Cu2O纳米颗粒直径为50-100nm;BiOI纳米片尺寸为500-800nm,厚度为10nm。
3.一种光电化学传感器电极,其特征在于,所述光电化学传感器电极包括如下(a)或(b)中任意一种:
(a)权利要求1或2中所述Cu2O@BiOI复合材料;
(b)基底,以及由基底负载的权利要求1或2中所述Cu2O@BiOI复合材料。
4.如权利要求3所述的光电化学传感器电极,其特征在于,所述基底包括金属基底、碳材料基底和导电玻璃基底。
5.如权利要求4所述的光电化学传感器电极,其特征在于,所述导电玻璃基底包括FTO、ITO、AZO、ZnO:B、ZnO:Ga、ZnO:In、Cd2SnO4、Zn2SnO4、TiO2:Nb、SrTiO3:Nb、CuS、CuAlO2和CuAlS2中的任一种。
6.如权利要求5所述的光电化学传感器电极,其特征在于,所述导电玻璃基底为FTO。
7.如权利要求4所述的光电化学传感器电极,其特征在于,所述光电化学传感器电极由FTO基底、BiOI纳米片和Cu2O纳米颗粒组成;所述BiOI纳米片为竖直穿插生长在FTO表面上的片层结构,尺寸为500-800nm,厚度为10nm;所述Cu2O纳米颗粒为生长在BiOI薄片边缘的小颗粒,直径为50-100nm。
8.权利要求3-7任一项所述光电化学传感器电极的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括使用电化学沉积法制备所述Cu2O@BiOI复合材料。
9.权利要求3-7任一项所述光电化学传感器电极的制备方法,其特征在于,采用两步电沉积法制备所述Cu2O@BiOI复合材料;即在基底表面依次沉积BiOI纳米片和Cu2O纳米颗粒。
10.权利要求3-7任一项所述光电化学传感器电极的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
(1)将FTO作为三电极体系的工作电极,在铋盐、碘盐、对苯醌、HNO3混合的电解液中进行电化学沉积,得BiOI/FTO复合材料;
(2)将BiOI/FTO复合材料置于电泳沉积电源的负极,在含有铜盐的乙醇溶液中进行电泳沉积,得Cu2O-BiOI/FTO复合材料即光电化学传感器电极。
11.权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中,铋盐为Bi(NO)3·5H2O,碘盐为KI;
所述Bi(NO)3·5H2O、KI和对苯醌的浓度比为5~10mM:300~500mM:0.1~0.5M。
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