[发明专利]一种电流舵DAC电路有效
申请号: | 201911012308.7 | 申请日: | 2019-10-23 |
公开(公告)号: | CN112702063B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 张识博;尤勇;刘军 | 申请(专利权)人: | 华润微集成电路(无锡)有限公司 |
主分类号: | H03M1/66 | 分类号: | H03M1/66;H05B45/36;H05B45/37 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 dac 电路 | ||
1.一种电流舵DAC电路,其特征在于,所述电流舵DAC电路包括:
逻辑控制电路,用于根据电压脉冲信号产生一N位二进制码,并在RESET信号的控制下进行复位操作;
二进制码DAC转换电路,连接于所述逻辑控制电路,用于根据参考电压产生一基准电流,并将所述基准电流按比例镜像至N条电流支路,通过所述N位二进制码分别控制N条电流支路的N个开关管以产生电压输出;同时通过开关信号控制调节支路的开关管,以产生一调节电压加至所述二进制码DAC转换电路的输出端,利用所述调节电压拓宽所述二进制码DAC转换电路输出电压的调节范围;
比较电路,连接于所述二进制码DAC转换电路和所述逻辑控制电路,用于根据所述输出电压和预设电压的比较结果,产生所述RESET信号和所述开关信号。
2.根据权利要求1所述的电流舵DAC电路,其特征在于,所述逻辑控制电路包括:N个串联的D触发器,其中N个串联D触发器的输入端接入所述电压脉冲信号,N个D触发器的输出端用于产生所述N位二进制码,N个D触发器的复位端接入所述比较电路输出的所述RESET信号。
3.根据权利要求1所述的电流舵DAC电路,其特征在于,所述二进制码DAC转换电路包括:
运算放大器,用于根据所述参考电压产生所述基准电流;
电流支路控制模块,连接于所述运算放大器,包括N条电流支路,用于将所述基准电流按比例镜像至N条电流支路,并通过所述N位二进制码分别控制N条电流支路的N个开关管,以根据导通的电流支路产生一支路总电流;
调节模块,连接于所述运算放大器,包括至少一条调节支路,用于根据所述开关信号控制所述调节支路的开关管,以产生一调节电流;
电压输出模块,连接于所述电流支路控制模块和所述调节模块,用于根据所述支路总电流产生一电压输出,同时根据所述调节电流产生一调节电压,以将所述调节电压加至所述电压输出模块的输出端。
4.根据权利要求3所述的电流舵DAC电路,其特征在于,所述运算放大器包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第一电阻,所述第一PMOS管的源极端接入电源电压,所述第一PMOS管的漏极端连接于所述第一PMOS管的栅极端、所述第二PMOS管的栅极端及所述第一NMOS管的漏极端,所述第二PMOS管的源极端接入电源电压,所述第二PMOS管的漏极端连接于所述第二NMOS管的漏极端及所述第四NMOS管的栅极端,所述第一NMOS管的栅极端接入参考电压,所述第一NMOS管的源极端连接于所述第二NMOS管的源极端及所述第三NMOS管的漏极端,所述第二NMOS管的栅极端连接于所述第四NMOS管的源极端及所述第一电阻的一端,所述第三NMOS管的栅极端接入第一偏置电压,所述第三NMOS管的源极端接地,所述第三PMOS管的源极端接入电源电压,所述第三PMOS管的漏极端连接于所述第三PMOS管的栅极端及所述第四NMOS管的漏极端,并作为所述运算放大器的输出端,所述第一电阻的另一端接地。
5.根据权利要求3所述的电流舵DAC电路,其特征在于,所述电流支路控制模块包括:第四PMOS管、第五PMOS管、第五NMOS管、N个NMOS电流管及N个NMOS开关管,所述第四PMOS管的源极端接入电源电压,所述第四PMOS管的栅极端连接于所述运算放大器的输出端,所述第四PMOS管的漏极端连接于所述第五NMOS管的漏极端,所述第五NMOS管的源极端接地,所述第五NMOS管的栅极端连接于所述第五NMOS管的漏极端及N个NMOS电流管的栅极端,同时形成第二偏置电压,N个NMOS电流管的源极端均接地,N个NMOS电流源的漏极端对应连接于N个NMOS开关管的源极端,N个NMOS开关管的栅极端对应接入所述N位二进制码,N个NMOS开关管的漏极端连接于所述第五PMOS管的漏极端,所述第五PMOS管的源极端接入电源电压,所述第五PMOS管的栅极端连接于所述第五PMOS管的漏极端,同时作为所述电流支路控制模块的输出端;其中N个NMOS电流管和N个NMOS开关管对应形成N条电流支路,且每条电流支路的NMOS电流管包括2n-1个并联的NMOS管,n为对应NMOS管所在电流支路在N条电流支路中的排序。
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