[发明专利]磁性隧道结读取电路、装置以及读取磁性隧道结的方法有效

专利信息
申请号: 201911050985.8 申请日: 2019-10-31
公开(公告)号: CN111128265B 公开(公告)日: 2021-12-28
发明(设计)人: 葛雷维·古帕塔亚;吴志强;王奕 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/16 分类号: G11C11/16
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 磁性 隧道 读取 电路 装置 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种磁性隧道结读取电路,包括:

所述磁性隧道结;以及

第一电流导引元件,所述第一电流导引元件具有第一节点和第二节点,并且被配置为具有所述第一节点处的第一电流,在所述第一节点处的第一电流以成第一比例地大于在所述第二节点处的第二电流,所述第一节点通过感测路径耦合到感测元件,并且所述第二节点被耦合到包括所述磁性隧道结的读取路径;

第二电流导引元件,所述第二电流导引元件具有第三节点和第四节点,并且被配置为具有所述第三节点处的第三电流,所述第三节点处的第三电流以成第二比例地大于所述第四节点处的第四电流,所述第三节点耦合到感测参考路径,并且所述第四节点耦合到读取参考路径,

其中,所述第一比例等于所述第二比例。

2.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述电流导引元件是双极结型晶体管,所述双极结型晶体管被配置为共集电极模式,所述双极结型晶体管的发射极节点为所述第一节点,并且所述双极结型晶体管的基极节点为所述第二节点。

3.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述电流导引元件是场效应晶体管,所述场效应晶体管被配置为共源极配置,所述场效应晶体管的漏极节点是所述第一节点,并且所述场效应晶体管的栅极节点是所述第二节点。

4.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,还包括在所述读取路径中的电压钳位元件。

5.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述读取参考路径包括参考电阻元件。

6.根据权利要求5所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述第一电流导引元件和所述第二电流导引元件彼此呈现镜像。

7.根据权利要求5所述的磁性隧道结读取电路,还包括感测放大器,并且其中,所述感测路径耦合到所述感测放大器的第一输入,并且所述感测参考路径耦合到所述感测放大器的第二输入。

8.根据权利要求5所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述感测路径和所述感测参考路径彼此呈现镜像。

9.根据权利要求5所述的磁性隧道结读取电路,其中,除了所述参考电阻元件和所述磁性隧道结之外,所述读取路径和所述读取参考路径彼此呈现镜像。

10.根据权利要求5所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述参考电阻元件具有电阻值,所述电阻值等于所述磁性隧道结的平行状态电阻值和所述磁性隧道结的反平行状态电阻值中的一个。

11.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述感测路径包括电流镜元件。

12.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述感测路径包括电阻分压器元件。

13.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述感测路径包括电荷存储元件,所述电荷存储元件被配置为:通过所述感测路径和所述第一电流导引元件进行放电或者通过所述感测路径中连接至所述第一节点的电压节点进行充电。

14.根据权利要求13所述的磁性隧道结读取电路,还包括预充电电路,所述预充电电路被配置为在所述电荷存储元件通过所述感测路径进行放电之前对所述电荷存储元件进行充电。

15.根据权利要求1所述的磁性隧道结读取电路,其中,所述感测元件被配置为基于所述第一节点处的第一电流来确定所述磁性隧道结的磁化状态。

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