[发明专利]半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201911063807.9 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN111162068A 公开(公告)日: 2020-05-15
发明(设计)人: 张珉硕 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金光军;韩芳
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,包括:

连接结构,包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的布线层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述布线层的连接过孔;

框架,设置在所述连接结构上并且具有一个或更多个通孔;

半导体芯片和无源组件,在所述框架的所述一个或更多个通孔中设置在所述连接结构上;

第一包封剂,覆盖所述无源组件的至少一部分;以及

第二包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分,

其中,所述第一包封剂的上表面和所述第二包封剂的上表面是所述第一包封剂和所述第二包封剂的背离所述连接结构的表面,并且所述第二包封剂的所述上表面定位在高于、等于或低于所述第一包封剂的所述上表面的高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一包封剂的所述上表面和所述第二包封剂的所述上表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二包封剂不延伸到所述第一包封剂的所述上表面上。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片的厚度小于所述无源组件的厚度,其中,所述半导体芯片的所述厚度为从所述半导体芯片的上表面正交地测量至所述连接结构的其上设置有所述半导体芯片的表面的厚度,所述无源组件的厚度为从所述无源组件的上表面正交地测量至所述连接结构的其上设置有所述无源组件的表面的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片和所述无源组件设置在所述一个或更多个通孔的同一通孔中。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件,其中,所述第一包封剂设置在所述同一通孔中以具有延伸穿过所述第一包封剂的通孔,并且

所述半导体芯片设置在延伸穿过所述第一包封剂的所述通孔中。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件,其中,金属层设置在延伸穿过所述第一包封剂的所述通孔的内壁上。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件,其中,设置在延伸穿过所述第一包封剂的所述通孔的所述内壁上的所述金属层延伸以覆盖所述第一包封剂的所述上表面,并且

所述第二包封剂的所述上表面和形成在所述第一包封剂的所述上表面上的所述金属层的上表面共面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片和所述无源组件设置在所述一个或更多个通孔中的不同通孔中。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,金属层设置在所述框架的所述一个或更多个通孔中的每个的内壁上。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述半导体芯片被设置为使得所述半导体芯片的连接垫面向所述连接结构。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的其上设置有所述半导体芯片的区域的厚度和所述连接结构的其上设置有所述无源组件的区域的厚度彼此不同。

13.根据权利要求12所述的半导体封装件,其中,所述连接结构的其上设置有所述半导体芯片的所述区域的所述厚度小于所述连接结构的其上设置有所述无源组件的所述区域的所述厚度。

14.一种半导体封装件,包括:

连接结构,包括绝缘层、设置在所述绝缘层上的布线层以及贯穿所述绝缘层并且连接到所述布线层的连接过孔;

框架,设置在所述连接结构上并且具有一个或更多个通孔;

半导体芯片和无源组件,在所述框架的所述一个或更多个通孔中设置在所述连接结构上;

第一包封剂,覆盖所述无源组件的至少一部分;以及

第二包封剂,覆盖所述半导体芯片的至少一部分,

其中,所述第二包封剂仅覆盖所述第一包封剂的背离所述连接结构的上表面的一部分。

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