[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一基板结构，包括第一基板、设置在所述第一基板上的电路元件和设置在所述电路元件上的第一接合焊盘；以及

连接到所述第一基板结构的第二基板结构，所述第二基板结构包括：

第二基板，具有设置为彼此相反的第一表面和第二表面，

第一导电层和第二导电层，设置在所述第二基板的所述第一表面上并且彼此间隔开，

焊盘绝缘层，设置在所述第一导电层和所述第二导电层上，并且具有暴露所述第二导电层的一部分的开口，

栅电极，在所述第二基板的所述第二表面上沿垂直于所述第二表面的第一方向堆叠为彼此间隔开，所述栅电极被配置为在平行于所述第二表面的第二方向上延伸不同的长度，并且被配置为电连接到所述电路元件，

第一接触插塞，在所述第二基板的所述第二表面上沿所述第一方向延伸并且连接到所述栅电极，

第二接触插塞，在所述第二基板的所述第二表面上沿所述第一方向延伸并且电连接到所述第二导电层，和

第二接合焊盘，电连接到所述第一接触插塞和所述第二接触插塞，并且设置在所述第一接触插塞和所述第二接触插塞上以对应于所述第一接合焊盘。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电层设置为重叠所述栅电极，并且所述第二导电层与所述栅电极水平地间隔开且不重叠所述栅电极。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二基板结构包括多个第二接触插塞，并且所述多个第二接触插塞连接到所述第二导电层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二接触插塞穿过所述第二基板直接连接到所述第二导电层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：

所述焊盘绝缘层具有限定所述开口的侧表面；

所述第二导电层具有由所述开口暴露的顶表面；以及

所述焊盘绝缘层的所述侧表面和所述第二导电层的所述顶表面向所述半导体器件的外面暴露。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二基板结构还包括连接层，所述连接层设置在由所述焊盘绝缘层的所述开口暴露的所述第二导电层上，并且所述连接层包括与所述第二导电层的材料不同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二导电层具有延伸部，所述延伸部被配置为延伸到所述焊盘绝缘层的所述开口中以填充所述开口。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中所述第二导电层具有包括凹入部的底表面，所述凹入部在与所述延伸部对应的区域中。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊盘绝缘层包括垂直堆叠的第一焊盘绝缘层和第二焊盘绝缘层，其中所述第一焊盘绝缘层和所述第二焊盘绝缘层包括彼此不同的材料。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

钝化层，设置在所述焊盘绝缘层上，并且被配置为延伸所述焊盘绝缘层的所述开口，所述钝化层由光致抗蚀剂材料形成。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述焊盘绝缘层包括多个开口，并且所述第二基板结构包括多个第二导电层，以及

当从上方看时，所述多个第二导电层在平面上沿着所述半导体器件的边缘设置。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电层和所述第二导电层设置在相同的高度水平处并且具有相同的厚度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第二基板结构还包括至少一个导电插塞、以及设置在相应的第一导电插塞和第二导电插塞与所述第二接合焊盘之间的至少一个互连线。