[发明专利]一种铋酸铜薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201911192917.5 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111020501A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 冯柯;埃泽尔·阿金诺古;博热耶夫·法拉比;薛亚飞;金名亮;王新;周国富;迈克尔·诺顿;米夏埃尔·吉尔斯西 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/58;C25B1/04;C25B11/06 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 成姗 |
| 地址： | 526000 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铋酸铜 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铋酸铜薄膜的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射法，在真空度为4~8x10-4 Pa的反应腔内，通入氧气和氩气的混合气体，通过射频直流电源分别对铜靶施加5-40w的功率，铋靶施加15w的功率，形成等离子体，氩气的分压为0.75~0.85Pa，O2分压为0.15~0.25Pa，沉积时间为10~20min，沉积完成后，在550~650℃下在空气中退火15~25分钟。
2.根据权利要求1所述铋酸铜薄膜的制备方法，其特征在于，氩气的分压为0.80Pa，O2分压为0.20Pa。
3.根据权利要求1所述铋酸铜薄膜的制备方法，其特征在于，在600℃下在空气中退火20分钟。
4.一种应用于三元金属氧化物中调整结构组成和光学带隙的制备方法，其特征在于，利用磁控溅射法，在真空度为4~8x10-4 Pa的反应腔内，通入氧气和氩气的混合气体，通过射频直流电源分别对相应的金属靶材施加功率，形成等离子体并沉积，沉积完成后，在400~800℃下，在空气中退火。
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