[发明专利]半导体结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201911225101.8 | 申请日： | 2019-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112909071A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴秉桓 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L23/535 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底内形成有若干个间隔排布的有源区；
栅极结构，位于所述基底内，且同一所述有源区中至少间隔排布有一组所述栅极结构；
绝缘衬垫层，所述绝缘衬垫层位于所述栅极结构之间，且所述绝缘衬垫层的底表面要低于所述栅极结构的顶表面；
位线接触结构，位于同一所述有源区上相邻的一组所述栅极结构之间的所述绝缘衬垫层中，且所述位线接触结构的底表面与所述栅极结构之间的所述有源区接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面为连续的非平面表面。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面还同时位于部分所述栅极结构上，且位于所述栅极结构上的所述绝缘衬垫层的底表面低于位于所述有源区上的所述绝缘衬垫层的底表面。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层的底表面不高于所述栅极结构的底表面。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层包括二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层及高k介质层中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述绝缘衬垫层内形成有空气隙。
7.一种半导体结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供基底，所述基底内形成有若干个间隔排布的有源区；
于所述基底内形成有若干个间隔排布的栅极结构，且同一所述有源区中至少间隔排布有一组所述栅极结构；
于所述基底内形成凹槽，所述凹槽位于同一所述有源区的所述栅极结构之间；
于所述凹槽内形成绝缘衬垫材料层；
于所述绝缘衬垫材料层内形成位线接触孔；
于所述位线接触孔内形成位线接触结构。
8.根据权利要求7所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述基底内形成凹槽，包括：
于所述基底表面形成第一图形掩膜层，所述第一图形掩膜层的开口暴露相邻两所述栅极结构之间的所述有源区；
根据所述第一图形掩膜层刻蚀所述有源区形成刻蚀槽；
于所述基底表面形成第二图形掩膜层，所述第二图形掩膜层的开口暴露所述刻蚀槽两侧的所述栅极结构；
根据所述第二图形掩膜层刻蚀去除部分所述栅极结构以形成所述凹槽。
9.根据权利要求7所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述凹槽内形成绝缘衬垫材料层，包括：于所述凹槽内沉积所述绝缘衬垫材料层，同时于所述绝缘衬垫材料层内形成空气隙。
10.根据权利要求7所述的半导体结构制备方法，其特征在于，于所述绝缘衬垫材料层内形成位线接触孔包括：
于所述绝缘衬垫材料层上形成第三图形掩膜层；
根据所述第三图形掩膜层刻蚀所述绝缘衬垫材料层以形成所述位线接触孔和绝缘衬垫层；
所述绝缘衬垫层的底表面为连续的非平面表面。
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