[发明专利]一种降低磁开关饱和电感的电路结构及磁开关在审
| 申请号： | 201911238616.1 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN110932707A | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 樊旭亮;巴涛;刘胜;王利民;王俊杰;潘亚峰;孙旭;范红艳;王刚;郭旭 | 申请（专利权）人： | 西北核技术研究院 |
| 主分类号： | H03K17/90 | 分类号： | H03K17/90 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 汪海艳 |
| 地址： | 710024 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 开关 饱和 电感 电路 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低磁开关饱和电感的电路结构，其特征在于：包括附属绕组与陡化电容；所述附属绕组用于绕制在磁开关磁芯上，所述陡化电容的正极与负极分别与附属绕组的两端电连接。
2.一种磁开关，包括磁芯与绕制在磁芯上的主绕组；所述主绕组的输入端用于连接前级，输出端用于连接负载；
其特征在于：还包括附属绕组与陡化电容；
所述附属绕组绕制在磁芯上；所述陡化电容的正极与负极分别与附属绕组的两端电连接。
3.根据权利要求2所述的磁开关，其特征在于：所述磁芯材料采用铁基纳米晶带材。
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