[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201911241221.7 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928161A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈柏荣;黄哲弘;张峻铭;徐仪珊;叶治东;黄信川;廖文荣;侯俊良 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
1.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：
形成第一阻障层于基底上；
形成P型半导体层于该第一阻障层上；
形成硬掩模于该P型半导体层上；
图案化该硬掩模以及该P型半导体层；以及
形成间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。
2.如权利要求1所述的方法，另包含在形成该第一阻障层之前形成缓冲层于该基底上。
3.如权利要求1所述的方法，另包含：
形成第二阻障层于该间隙壁旁的该第一阻障层上；
形成栅极电极于该硬掩模上；以及
形成源极电极以及漏极电极于该间隙壁两侧。
4.如权利要求3所述的方法，其中该硬掩模包含金属。
5.如权利要求1所述的方法，另包含：
形成第二阻障层于该间隙壁旁的该第一阻障层上；
形成栅极电极于该硬掩模内并设于该P型半导体层上；以及
形成源极电极以及漏极电极于该间隙壁两侧。
6.如权利要求5所述的方法，其中该硬掩模包含介电材料。
7.如权利要求1所述的方法，其中该第一阻障层包含AlxGa1-xN。
8.一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法，其特征在于，包含：
形成第一阻障层于基底上；
形成P型半导体层于该第一阻障层上；
图案化该P型半导体层；以及
形成间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。
9.如权利要求8所述的方法，另包含于形成该第一阻障层之前形成缓冲层于该基底上。
10.如权利要求8所述的方法，另包含：
形成第二阻障层于该P型半导体层以及该间隙壁旁的该第一阻障层上；
形成硬掩模于该第二阻障层上；
平坦化该硬掩模；
形成栅极电极于该P型半导体层上；以及
形成源极电极以及漏极电极于该间隙壁两侧。
11.如权利要求10所述的方法，另包含平坦化该硬掩模以及该第二阻障层并使该硬掩模顶部切齐该P型半导体层顶部。
12.如权利要求8所述的方法，其中该第一阻障层包含AlxGa1-xN。
13.一种高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)，其特征在于，包含：
缓冲层，设于基底上；
第一阻障层，设于该缓冲层上；
P型半导体层，设于该第一阻障层上；以及
间隙壁，设于P型半导体层旁。
14.如权利要求13所述的高电子迁移率晶体管，另包含：
栅极电极，设于该P型半导体层上；以及
源极电极以及漏极电极于该间隙壁两侧。
15.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，另包含硬掩模设于该P型半导体层以及该栅极电极之间。
16.如权利要求15所述的高电子迁移率晶体管，其中该硬掩模包含金属。
17.如权利要求14所述的高电子迁移率晶体管，另包含硬掩模，设于该P型半导体层上并环绕该栅极电极。
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