[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法

说明书

本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该制作高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的方法为，首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。

技术领域

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。

背景技术

以氮化镓基材料(GaN-based materials)为基础的高电子迁移率晶体管具有于电子、机械以及化学等特性上的众多优点，例如宽能隙、高击穿电压、高电子迁移率、大弹性模数(elastic modulus)、高压电与压阻系数(high piezoelectric and piezoresistivecoefficients)等与化学钝性。上述优点使氮化镓基材料可用于如高亮度发光二极管、功率开关元件、调节器、电池保护器、面板显示驱动器、通讯元件等应用的元件的制作。

发明内容

本发明一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，形成一硬掩模于该P型半导体层上，图案化该硬掩模以及该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。

本发明另一实施例揭露一种制作高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)的方法。首先形成一第一阻障层于一基底上，然后形成一P型半导体层于该第一阻障层上，图案化该P型半导体层，再形成一间隙壁于该硬掩模以及该P型半导体层旁。

本发明又一实施例揭露一种高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor,HEMT)，其主要包含一缓冲层设于一基底上、一第一阻障层设于该缓冲层上、一P型半导体层设于该第一阻障层上以及一间隙壁设于P型半导体层旁。

附图说明

图1至图5为本发明一实施例制作一高电子迁移率晶体管的方法示意图；

图6为本发明一实施例的一高电子迁移率晶体管的结构示意图；

图7至图12为本发明一实施例制作一高电子迁移率晶体管的方法示意图。

主要元件符号说明

12 基底 14 缓冲层

16 第一阻障层 18 P型半导体层

20 硬掩模 22 间隙壁

24 第二阻障层 26 保护层

28 栅极电极 30 源极电极

32 漏极电极 34 栅极结构

42 基底 44 缓冲层

46 第一阻障层 48 P型半导体层

50 间隙壁 52 第二阻障层

54 硬掩模 56 保护层

58 栅极电极 60 源极电极