[发明专利]晶圆切割方法

权利要求书

1.一种晶圆切割方法，其特征在于，包括：

获得待切割晶圆，所述待切割晶圆包括隔离层以及位于所述隔离层上的半导体器件层，所述待切割晶圆包括切割道区域；

从所述隔离层背向所述半导体器件层的一侧，对所述切割道区域的所述隔离层进行第一切割，形成贯穿所述隔离层的第一切割槽；

在所述第一切割后，从所述半导体器件层背向所述隔离层的一侧，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割，形成贯穿所述待切割晶圆的切割道，并获得多个分立的芯片。

2.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，进行所述第二切割之前，还包括：将所述隔离层的表面贴附于第一胶膜层上。

3.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述待切割晶圆包括位于所述半导体器件层一侧的晶圆正面；

进行所述第一切割之前，还包括：将所述晶圆正面贴附于第二胶膜层上。

4.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，获得所述待切割晶圆之前，还包括：提供基于SOI衬底制造的半导体晶圆，所述半导体晶圆包括底部半导体层、位于所述底部半导体层上的隔离层、以及位于所述隔离层上的半导体器件层；

获得所述待切割晶圆的步骤包括：以所述隔离层作为停止层，通过减薄处理的方式去除所述底部半导体层。

5.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，从所述半导体器件层背向所述隔离层的一侧，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割之前，还包括：采用红外对准的方式，确定所述半导体器件层中与所述第一切割槽相对应的位置。

6.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割或激光切割，进行所述第一切割；

利用机械切割或激光切割，进行所述第二切割。

7.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割进行所述第一切割和第二切割，所述第一切割所采用的切割刀具设有第一切割刀片，所述第二切割所采用的切割刀具设有第二切割刀片；

所述第一切割刀片和第二切割刀片的材料均包括金刚石。

8.如权利要求7所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述金刚石的颗粒粒径为2微米至3微米。

9.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，对所述第一切割槽位置处的所述半导体器件层进行第二切割的步骤中，在所述半导体器件层中形成第二切割槽，所述第一切割槽和第二切割槽构成所述切割道；

所述第一切割槽的宽度大于所述第二切割槽的宽度。

10.如权利要求9所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一切割槽的宽度与所述第二切割槽的宽度的差值大于5微米。

11.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割进行所述第一切割，所述第一切割的参数包括：切割速度为15mm/s至25mm/s，轴转速为30000rpm至40000rpm。

12.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，利用机械切割进行所述第二切割，所述第二切割的参数包括：切割速度为5mm/s至15mm/s，轴转速为30000rpm至40000rpm。

13.如权利要求1所述的晶圆切割方法，其特征在于，进行所述第一切割的过程中，所述第一切割的切割深度大于所述隔离层的厚度。

14.如权利要求13所述的晶圆切割方法，其特征在于，所述第一切割的切割深度与所述隔离层的厚度的差值为25微米至35微米。

15.如权利要求1或2所述的晶圆切割方法，其特征在于，进行所述第二切割后，所述第二切割的切割深度大于所述半导体器件层的厚度。