[发明专利]一种硅电极加工的工艺方法在审
| 申请号： | 201911254218.9 | 申请日： | 2019-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN112928006A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈海滨;闫志瑞;库黎明;朱秦发;苏冰 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/04 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电极 加工 工艺 方法 | ||
1.一种硅电极加工的工艺方法，其特征在于，该工艺方法包括以下步骤：
(1)将从加工中心加工好的硅电极进行超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第一次抛光；
(2)将抛光完的硅电极进行超声清洗、烘干，然后用夹具装硅电极放入盛有混酸的腐蚀槽进行腐蚀，所述混酸为质量百分比浓度为45％-65％的氢氟酸溶液、质量百分比浓度为45％-65％的硝酸溶液、质量百分比浓度为98％的醋酸的混合液，三者的质量比为50％-70％∶10％-30％∶10％-20％；
(3)将腐蚀完的硅电极超声清洗、烘干，然后将硅电极放在双面抛光机的游轮片上进行第二次抛光；
(4)将抛光完的硅电极进行超声清洗、HF酸洗、烘干。
2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述步骤(1)中，抛光参数为上盘转速1-10rpm、下盘转速1-20rpm、太阳轮转速1-15rpm、抛光压力3000-15000rpm、抛光时间5-10分钟。
3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述步骤(2)中，腐蚀温度为20℃-50℃。
4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述步骤(3)中，抛光参数为上盘转速1-10rpm、下盘转速1-20rpm、太阳轮转速1-15rpm、抛光压力3000-15000rpm、抛光时间10-50分钟。
5.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述步骤(4)中，质量百分比浓度为1％-10％的HF酸清洗5-20分钟，温度为15℃-40℃。
6.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，在所述步骤(1)～(4)中，超声清洗时间为30分钟，其中超声清洗15分钟后需翻一面再超声清洗，烘干工艺参数为65℃、60分钟。
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