[发明专利]磁控溅射镀膜机在审
申请号: | 201911276412.7 | 申请日: | 2019-12-12 |
公开(公告)号: | CN112981339A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 孙桂红;祝海生;黄乐;陈立;唐洪波;唐莲;杨恒;寇立;凌云 | 申请(专利权)人: | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 湖南乔熹知识产权代理事务所(普通合伙) 43262 | 代理人: | 安曼 |
地址: | 411100 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 镀膜 | ||
本发明提供了磁控溅射镀膜机,包括依次连接的第一预备组、工艺室组和第二预备组,第一预备组、工艺室组和第二预备组依次连接成直线型的基片运行路径,所述运行路径的运行方向为基片依次经过第一预备组、工艺室组和第二预备组,工艺室组包括多个工艺室,第一预备组包括多个功能室,沿着所述运行路径的方向,第一预备组的多个功能室的容积逐渐增大,第二预备组包括多个功能室,沿着所述运行路径的方向,第二预备组的多个功能室的容积逐渐减小。本发明低了抽真空能耗,降低了所述镀膜机的加工成本,适应了基片架的运行需求,将所述流水线型的长条形的镀膜机的各个侧面进行功能分区,便于操作和检修,提高了标准化程度。
技术领域
本发明涉及镀膜生产技术领域,具体为磁控溅射镀膜机。
背景技术
磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜。镀膜通常在镀膜机内完成,为了提高镀膜机的利用率,提高生产效率,镀膜机一般为流水线作业模式,即待镀膜的基片在所述流水线上运行。然而,流水线形式的镀膜机的长度较长,各部件的安装、布置对其操作和运行的顺畅度影响较大。
发明内容
针对现有技术存在的上述问题,本发明的目的是提供磁控溅射镀膜机,第一预备组的各腔室的容积沿着基片运行方向依次增大、第二预备组的各腔室的容积沿着基片运行方向依次减小,降低了抽真空能耗,降低了所述镀膜机的加工成本,适应了基片架的运行需求,将所述流水线型的长条形的镀膜机的各个侧面进行功能分区,便于操作和检修,提高了标准化程度。
为了实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:
磁控溅射镀膜机,包括依次连接的第一预备组、工艺室组和第二预备组,第一预备组、工艺室组和第二预备组依次连接成直线型的基片运行路径,所述运行路径的运行方向为基片依次经过第一预备组、工艺室组和第二预备组,工艺室组包括多个工艺室,第一预备组包括多个功能室,沿着所述运行路径的方向,第一预备组的多个功能室的容积逐渐增大,第二预备组包括多个功能室,沿着所述运行路径的方向,第二预备组的多个功能室的容积逐渐减小。
作为上述技术方案的进一步改进为:
第一预备组包括A组第一功能室、A组第二功能室和A组第三功能室,第二预备组包括B组第一功能室、B组第二功能室和B组第三功能室,沿着所述运行路径的方向,基片依次经过A组第一功能室、A组第二功能室、A组第三功能室、工艺室组、B组第三功能室、B组第二功能室和B组第一功能室。
A组第一功能室、A组第二功能室和A组第三功能室的容积依次增大,B组第一功能室、B组第二功能室和B组第三功能室的容积依次增大。
A组第一功能室、A组第二功能室、A组第三功能室、多个工艺室、B组第三功能室、B组第二功能室和B组第一功能室的底面平齐,A组第一功能室、A组第二功能室、A组第三功能室的高度依次增大,B组第一功能室、B组第二功能室和B组第三功能室的高度依次增大。
每个工艺室的壁面上均设有分子泵和阴极。
将上述镀膜机的各个侧面进行功能分区,在对应的测面上布置匹配对应功能分区的部件。
所述镀膜机的左面为参观侧、上面为泵侧、右面为盖板侧。
所述参观侧对应的壁面上布置各腔室的分子泵和控制柜。
所述泵侧对应的壁面上布置各腔室的分子泵。
盖板侧布置各腔室的检测口、分子泵盖。
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