[发明专利]一种显示面板、其制作方法及显示装置在审
申请号: | 201911319259.1 | 申请日: | 2019-12-19 |
公开(公告)号: | CN110943116A | 公开(公告)日: | 2020-03-31 |
发明(设计)人: | 蔡敏;夏志强;陈英杰;马扬昭 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 杨晓萍 |
地址: | 430205 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置,其中,所述显示面板包括:衬底基板;第一显示区,所述第一显示区包括发光区和透光区;对于所述第一显示区,仅在所述透光区内设置透明隔断层;对于所述第一显示区,仅在所述发光区内设置发光功能层、位于所述发光功能层上的阴极层以及位于所述阴极层上的封装层;在平行于所述衬底基板所在平面的方向上,所述透明隔断层和所述封装层相互交叠。本发明实施例所提供的技术方案能够用于提高成像质量。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)器件具有结构简单、响应速度快、主动发光、低功耗等优点,在手机、平板、电视等显示领域已经有了广泛的应用。
为了实现全面屏显示,如图1所示为相关技术中显示装置的结构示意图,通常在OLED显示装置的显示区中设置也会进行显示的区域1,并在区域1中设置屏下传感器100(比如,摄像头)。在现有技术中,往往针对包括区域1的显示区整面蒸镀阴极,由于整面阴极的存在,在一定程度上降低了光线在区域1的透过率,从而导致屏下传感器100无法接收到充足的光量,进而导致屏下传感器的成像质量降低。
发明内容
本发明提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置,用于提高成像质量。
第一方面,本发明实施例提供了一种显示面板,包括:
衬底基板;
第一显示区,所述第一显示区包括发光区和透光区;
对于所述第一显示区,仅在所述透光区内设置透明隔断层;
对于所述第一显示区,仅在所述发光区内设置发光功能层、位于所述发光功能层上的阴极层以及位于所述阴极层上的封装层;
在平行于所述衬底基板所在平面的方向上,所述透明隔断层和所述封装层相互交叠。
第二方面,基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种如上面所述的显示面板的制作方法,包括:
在所述透光区内形成所述透明隔断层的图案;
在所述透明隔断层上蒸镀所述发光功能层和所述阴极层;
在所述阴极层上形成封装层;
利用构图工艺,依次刻蚀掉位于所述透光区内的所述封装层、所述阴极层和所述发光功能层,分别形成所述封装层的图案、所述阴极层的图案和所述发光功能层的图案。
第三方面,基于同一发明构思,本发明实施例提供了一种显示装置,包括如上面所述的显示面板。
本发明的有益效果如下:
本发明实施例提供的显示面板、其制作方法及显示装置,对于第一显示区,仅在透光区内设置透明隔断层,且对于第一显示区,仅在发光区内设置发光功能层、位于该发光功能层上的阴极层以及位于该阴极层上的封装层,同时在平行于衬底基板所在平面的方向上,透明隔断层和封装层相互交叠。其中,通过透明隔断层可以隔断第一显示区内的发光功能层和阴极层,同时通过透明隔断层可以封装发光功能层和阴极层的边缘。如此一来,一方面,通过透明隔断层实现了阴极层的图案化处理,在第一显示区内,仅发光区内设置有阴极层,透光区内未设置阴极层,提高了透光区的光线透过率,另一方面,在通过封装层对发光区内的阴极层进行封装的同时,通过透明隔断层实现了对发光区内发光功能层和阴极层的边缘的封装,提高了显示面板的封装效果,可见,通过透明隔断层改善了光线在第一显示区的透过率,提高了设置在第一显示区的屏下传感器的成像质量,同时保证了显示面板的封装效果。
附图说明
图1为相关技术中显示装置的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉天马微电子有限公司,未经武汉天马微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911319259.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种螺旋轨道式钢球立体仓储装置
- 下一篇:机械臂外壳及机械臂外壳加工方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的