[发明专利]一种堆叠封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201911355283.0 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111081646B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 任玉龙;孙鹏;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/552;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 堆叠 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种堆叠封装结构，包括：
第一载板；
芯片埋入凹槽，所述芯片埋入凹槽设置在所述第一载板的正面；
第一载板贯通窗口，所述第一载板贯通窗口贯穿所述第一载板的上下表面，且与所述芯片埋入凹槽隔离开；
芯片，所述芯片正面朝上设置在所述芯片埋入凹槽中；
第二载板，所述第二载板设置在所述第一载板的背面，所述第二载板内设置有互连线路和/或有源器件和/或无源器件；
巨型铜柱，所述巨型铜柱设置所述第二载板的上表面，且伸入所述第一载板贯通窗口中，巨型铜柱电连接第二载板的互连线路；
塑封层，所述塑封层覆盖所述第一载板的正面，且填充所述巨型铜柱与所述第一载板贯通窗口之间的间隙和所述芯片与所述芯片埋入凹槽之间的间隙；
布局布线层，所述布局布线层设置在所述塑封层的上方，且电连接至所述芯片焊盘和所述巨型铜柱；以及
外接焊球，所述外接焊球设置在所述布局布线层上方，且电连接至所述布局布线层。
2.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述芯片埋入凹槽的内壁还设置有信号屏蔽结构。
3.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述第一载板贯通窗口的俯视图形为长方形或圆形或其构成的阵列。
4.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述芯片通过贴片胶将其背面贴片至所述芯片埋入凹槽的底部。
5.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述芯片的焊盘和所述巨型铜柱的顶面低于所述第一载板的正面。
6.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述芯片的焊盘和所述巨型铜柱的顶面高于所述第一载板的正面。
7.如权利要求1所述的堆叠封装结构，其特征在于，所述堆叠封装结构为晶圆级堆叠形成的封装结构。
8.一种晶圆级堆叠封装结构的制造方法，包括：
在第一载板上形成芯片埋入凹槽和第一载板贯通窗口；
在芯片埋入凹槽内正面贴装芯片；
在第二载板正面形成巨型铜柱，所述第二载板内设置有互连线路和/或有源器件和/或无源器件，巨型铜柱电连接第二载板的互连线路；
将第一载板的背面和第二载板的正面对准后进行晶圆键合；
塑封形成覆盖第一载板的正面的塑封层；
在塑封层上方形成布局布线层；以及
在布局布线层上面形成外接焊球。
9.如权利要求8所述的晶圆级堆叠封装结构的制造方法，其特征在于，所述将第一载板的背面和第二载板的正面对准后，所述巨型铜柱位于所述第一载板贯通窗口中；所述塑封层填充所述巨型铜柱与所述第一载板贯通窗口之间的间隙和所述芯片与所述芯片埋入凹槽之间的间隙。
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