[发明专利]一种半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成堆叠式电容结构，所述堆叠式电容结构包括至少三层电极层以及位于相邻电极层之间的绝缘层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表面；

在所述堆叠式电容结构表面形成包括第一开口的光刻胶层，所述第一开口暴露位于最顶层的电极层；

沿所述第一开口执行刻蚀工艺，至暴露下一个电极层；

对所述光刻胶层进行部分灰化，以扩大所述第一开口至设定值；

沿所述第一开口继续执行刻蚀工艺，至暴露再下一个电极层；

重复所述部分灰化工艺及刻蚀工艺至暴露全部电极层；

去除所述光刻胶层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述光刻胶层的起始厚度为0.1微米-5微米。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行部分灰化的工艺包括：

将所述半导体衬底设置于真空灰化室；

向所述真空灰化室导入灰化气体。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺的时间为5秒-150秒，灰化温度为200摄氏度-375摄氏度。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述灰化工艺的灰化气体包括氨气，氧气，氮气或氢气中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述刻蚀包括湿法刻蚀或干法刻蚀。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，每一 所述绝缘层的厚度与材料都相同，每一 所述电极层的厚度与材料都相同。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述的堆叠式电容结构为：第一绝缘层，第一电极层，第二绝缘层，第二电极层，第三绝缘层，第三电极层，顶层绝缘层，顶层电极层，所述电极层以及绝缘层延伸至半导体衬底表面。

9.如权利要求8所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体衬底中形成所述堆叠式电容结构的方法包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有沟槽；

在所述半导体衬底及沟槽表面依次形成第一绝缘层和第一电极层；

在所述第一电极层表面依次形成第二绝缘层和第二电极层；

在所述第二电极层表面依次形成第三绝缘层和第三电极层；

在所述第三电极层表面依次形成顶层绝缘层和顶层电极层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述电极层材料包括金属或多晶硅。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述绝缘层材料包括：氧化硅或氮化硅。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，还包括：形成电连接所述每一电极层的接触结构。