[实用新型]一种细丝机制的小面积电极阻变存储器有效
| 申请号： | 201920522337.7 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN210120153U | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 魏凌;刘平安;付春玲 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司 41125 | 代理人： | 郑园 |
| 地址： | 475004 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 细丝 机制 面积 电极 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，所述阻变存储器的结构从上到下依次是多个上电极，绝缘介质薄膜，阻变层薄膜，下电极层，衬底层，其中下电极层与阻变层为欧姆接触，绝缘介质薄膜的热击穿电压ET1小于阻变层薄膜ET2。
2.如权利要求1所述的细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，利用探针接触上电极，探针的针尖面积小于电极面积，施加直流电压ET0,其中ET1≤ET0＜ET2，该电压ET0热击穿绝缘层，而在上电极与阻变层之间形成导电通路，该导电通路的横截面积即为上电极的有效面积。
3.如权利要求2所述的细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，绝缘介质薄膜为热导率低的有机树脂膜，为苯并环丁烯膜。
4.如权利要求2所述的细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜为射频溅射制备的Si3N4或Al2O3,薄膜厚度为5-10nm。
5.如权利要求2所述的细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，所述绝缘介质薄膜为阳极氧化制备的TiO2,薄膜厚度为5-10nm。
6.如权利要求2所述的细丝机制的小面积电极阻变存储器，其特征在于，所述阻变层薄膜的材料为单层或多层。
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