[实用新型]涂胶单元以及涂胶显影系统有效

专利信息
申请号: 201920651509.0 申请日: 2019-05-08
公开(公告)号: CN209946631U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 李明欣;朱成云;古哲安;黄志凯;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: G03F7/16 分类号: G03F7/16
代理公司: 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人: 王宏婧
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 压力监测装置 箱体内部 通风系统 涂胶单元 光阻 本实用新型 供风系统 排风系统 实时监测 显影系统 压力异常 均匀性 排风口 载片台 涂胶 旋涂 开口 发现
【说明书】:

本实用新型提供了一种涂胶单元以及涂胶显影系统,所述涂胶单元包括工艺箱体、载片台、压力监测装置和通风系统,所述通风系统包括供风系统和排风系统,所述工艺箱体包括开口和排风口,所述工艺箱体内部设有所述压力监测装置。光阻在旋涂的过程中,所述压力监测装置对所述工艺箱体内部的压力进行实时监测,可以及时发现所述工艺箱体内部的压力异常,有助于提高光阻厚度的均匀性。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域,尤其涉及一种涂胶单元以及涂胶显影系统。

背景技术

在半导体制造工艺中,光刻工艺一直被认为是集成电路制造中最关键的步骤,在整个工艺过程中需要被多次使用,其稳定性、可靠性和工艺成品率对产品的质量、良率和成本有着重要的影响。光刻的本质是把临时电路结构以图形的形式复制到以后要进行刻蚀或离子注入的基底如晶圆上。光刻工艺是一个复杂的过程,通常可包括光阻涂布、曝光和显影,具体而言,首先在晶圆上覆盖一层感光材料即光阻(亦称为光刻胶),再将平行光经过一掩膜版照射在光阻上使其曝光而变质,最后利用显影液进行显影完成图形转移。其中光阻的厚度和均匀度对光刻工艺的质量有很大的影响,只有光阻具有良好的附着性、抗刻蚀性及高分辨率才能实现完整的图形转移。所以对于半导体制造工艺而言,光阻的形成质量非常重要。

一般情况下,光阻的涂布工艺是在涂胶显影系统(CDS(Coat&DevelopmentSystem),又称为Track设备)的涂胶单元(COT)中完成。但在实践中发现,利用涂胶单元所形成的光阻的均匀性不够理想,影响了产品的良率,甚至会导致产品报废。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种涂胶单元以及涂胶显影系统,以解决因工艺箱体内部压力变化所导致的光阻均匀性差的问题。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种涂胶单元,包括工艺箱体、用于承载基底的载片台、压力监测装置和通风系统,所述载片台设置于所述工艺箱体内,所述工艺箱体具有可供所述基底进出的开口,所述通风系统通过所述开口向所述工艺箱体内通风,所述压力监测装置设置于所述工艺箱体上并用于监测所述工艺箱体内的压力。

可选的,在所述涂胶单元中,所述压力监测装置设置在所述开口处的工艺箱体内壁上。

可选的,在所述涂胶单元中,所述压力监测装置的数量为至少两个,至少两个压力监测装置均匀分布在所述开口处的工艺箱体内壁上。

可选的,在所述涂胶单元中,所述开口处的工艺箱体内壁上设有凹槽,所述压力监测装置嵌设在所述凹槽内。

可选的,在所述涂胶单元中,所述载片台包括一真空吸盘,所述真空吸盘处于涂胶状态时其边缘与所述压力监测装置的垂直距离范围小于3cm。

可选的,在所述涂胶单元中,所述工艺箱体的底部具有排风口,所述通风系统包括供风系统和排风系统,所述供风系统通过所述开口向所述工艺箱体内供风,所述排风系统通过所述排风口排风。

可选的,在所述涂胶单元中,所述涂胶单元还包括控制模块,所述供风系统中设有调节阀,所述控制模块分别与所述调节阀和压力监测装置电连接,所述控制模块根据所述压力监测装置侦测到的压力值通过所述调节阀调节所述供风系统的供风量。

可选的,在所述涂胶单元中,所述涂胶单元还包括控制模块,所述排风系统中设有调节阀,所述控制模块分别与所述调节阀和压力监测装置电连接,所述控制模块根据所述压力监测装置侦测到的压力值通过所述调节阀调节所述排风系统的排风量。

可选的,在所述涂胶单元中,所述压力监测装置为压力传感器。

为实现上述目的以及其它相关目的,本实用新型还提供了一种涂胶显影系统,包括如上任一项所述的涂胶单元。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920651509.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top