[实用新型]一种针对I2C总线信号的隔离保护电路有效

专利信息
申请号: 201921404443.1 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN210129221U 公开(公告)日: 2020-03-06
发明(设计)人: 上官宇剑 申请(专利权)人: 苏州浪潮智能科技有限公司
主分类号: G06F13/40 分类号: G06F13/40
代理公司: 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 代理人: 李修杰
地址: 215100 江苏省苏州市吴*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 针对 i2c 总线 信号 隔离 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述隔离保护电路包括:

热插拔单板与主控板之间通过I2C信号连接器连接;

热插拔单板的I2C数据信号接口电路包括MOSFET管、门级上拉电阻、数据信号上拉电阻以及TVS管;所述TVS管一端连接I2C信号连接器,另一端连接MOSFET管,所述MOSFET管还分别与门级上拉电阻以及数据信号上拉电阻连接,上拉电阻以及数据信号上拉电阻的另一端分别与VCC1电压连接;

主控板的I2C数据信号接口电路包括TVS管、上拉电阻和防倒灌二极管,所述TVS管依次连接上拉电阻和防倒灌二极管,所述防倒灌二极管另一端连接有VCC2电压;

其中,VCC2电压≥VCC1电压,且同时VCC1电压>栅极与源极之间的电压。

2.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述I2C信号上输出的电压为低电平时,MOSFET管的栅极与源极之间的电压等于VCC1电压,MOSFET管开启,信号线上电压被拉到低电平,MOSFET管不会开启;

所述I2C信号上输出的电压为高电平时,MOSFET管的栅极与源极之间的电压等于0,MOSFET管也不会开启。

3.根据权利要求2所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述热插拔单板的VCC1为0时,主控板的VCC2为正常电压,MOSFET管不会开启,VCC2电压不会倒灌至VCC1电压;

所述热插拔单板先上电时,主控板在上电前,由于存在防倒灌二极管,VCC1也不会倒灌至VCC2上。

4.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,当有静电通过I2C接口打入热插拔单板时,TVS管暂时击穿。

5.根据权利要求1或4所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述TVS管的导通电压大于VCC2电压。

6.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述热插拔单板与主控板之间还可通过线缆连接。

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