[实用新型]一种针对I2C总线信号的隔离保护电路有效
申请号: | 201921404443.1 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN210129221U | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 上官宇剑 | 申请(专利权)人: | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
代理公司: | 济南诚智商标专利事务所有限公司 37105 | 代理人: | 李修杰 |
地址: | 215100 江苏省苏州市吴*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 针对 i2c 总线 信号 隔离 保护 电路 | ||
1.一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述隔离保护电路包括:
热插拔单板与主控板之间通过I2C信号连接器连接;
热插拔单板的I2C数据信号接口电路包括MOSFET管、门级上拉电阻、数据信号上拉电阻以及TVS管;所述TVS管一端连接I2C信号连接器,另一端连接MOSFET管,所述MOSFET管还分别与门级上拉电阻以及数据信号上拉电阻连接,上拉电阻以及数据信号上拉电阻的另一端分别与VCC1电压连接;
主控板的I2C数据信号接口电路包括TVS管、上拉电阻和防倒灌二极管,所述TVS管依次连接上拉电阻和防倒灌二极管,所述防倒灌二极管另一端连接有VCC2电压;
其中,VCC2电压≥VCC1电压,且同时VCC1电压>栅极与源极之间的电压。
2.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述I2C信号上输出的电压为低电平时,MOSFET管的栅极与源极之间的电压等于VCC1电压,MOSFET管开启,信号线上电压被拉到低电平,MOSFET管不会开启;
所述I2C信号上输出的电压为高电平时,MOSFET管的栅极与源极之间的电压等于0,MOSFET管也不会开启。
3.根据权利要求2所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述热插拔单板的VCC1为0时,主控板的VCC2为正常电压,MOSFET管不会开启,VCC2电压不会倒灌至VCC1电压;
所述热插拔单板先上电时,主控板在上电前,由于存在防倒灌二极管,VCC1也不会倒灌至VCC2上。
4.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,当有静电通过I2C接口打入热插拔单板时,TVS管暂时击穿。
5.根据权利要求1或4所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述TVS管的导通电压大于VCC2电压。
6.根据权利要求1所述的一种针对I2C总线信号的隔离保护电路,其特征在于,所述热插拔单板与主控板之间还可通过线缆连接。
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