[实用新型]一种紫外发光二极管

权利要求书

1.一种紫外发光二极管，其特征在于，其包括：

紫外发光二极管的外延结构，所述紫外发光二极管的外延结构包括N型半导体材料层、量子阱和P型半导体材料层；

微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；

P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上；

键合层，键合层设置在P型欧姆接触层与所述微孔结构层接触侧的相对一侧，所述键合层由金属制成；

键合衬底，所述键合衬底设置在键合层与所述P型欧姆接触层接触侧的相对一侧。

2.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述空心孔洞在微孔区域均匀分布。

3.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述微孔结构层的厚度为250±2.5nm。

4.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述N型半导体材料的上表面形成有粗化结构，所述粗化结构包括一次粗化结构和二次粗化结构，其中一次粗化结构的粗化粒度大于二次粗化结构。

5.根据权利要求4所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述粗化结构上形成有一次电极，在所述一次电极上形成有二次电极，所述二次电极在所述一次电极上与所一次电极固定连接。

6.根据权利要求5所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述一次电极的厚度大于所述二次电极的厚度。

7.根据权利要求6所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，所述二次电极的厚度在500A以下。

8.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，在所述N型半导体材料上，电极之外的区域具有增透层。

9.根据权利要求1所述的一种紫外发光二极管，其特征在于，结构为骨架式的圆角多边形，其圆角多边形的直径小于0.15mil。