[实用新型]一种单晶硅生长装置

权利要求书

1.一种单晶硅生长装置，包括炉体（3），其特征在于：所述炉体（3）内的相对侧壁上均固定有上固定块（2）和下固定块（14），所述炉体（3）内的底部固定有炉底护盘（9），所述炉底护盘（9）的上端固定有石墨碳毡（13），且石墨碳毡（13）位于下固定块（14）的下端，所述上固定块（2）的下端固定有上保温罩（20），所述下固定块（14）的上端固定有下保温罩（7），所述上保温罩（20）和下保温罩（7）之间共同固定有中保温罩（4），两个上固定块（2）的相对一侧均固定有导流筒（1），所述炉体（3）、石墨碳毡（13）和炉底护盘（9）的中部共同贯穿并固定有托杆护套（17），所述托杆护套（17）内贯穿设有托杆（10），所述托杆（10）的上端设有支撑装置，所述支撑装置上设有石墨坩埚（18），所述石墨坩埚（18）内放置有石英坩埚（19），所述石英坩埚（19）的上端延伸至石墨坩埚（18）的上端，两个导流筒（1）的下端均延伸至石英坩埚（19）内，所述炉体（3）内设有加热装置，所述加热装置和石英坩埚（19）相对应。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述支撑装置包括固定在托杆（10）上端的支撑块（27），所述支撑块（27）的上端固定有坩埚托盘（8），所述坩埚托盘（8）的其中两侧均固定有连接块（16），所述坩埚托盘（8）的另外两侧和两个连接块（16）的一侧均设有插槽（6），所述插槽（6）内贯穿设有L型夹持板（21），所述插槽（6）内的一端侧壁上等间距设有两个以上通孔（15），所述L型夹持板（21）的一侧等间距设有两个以上和通孔（15）对应的螺纹盲孔（25），其中四个通孔（15）内均贯穿设有螺钉（26），所述螺钉（26）的一端延伸至对应的螺纹盲孔（25）内，所述L型夹持板（21）的一侧均固定有夹持块（28），四个夹持块（28）的一侧均抵触在石墨坩埚（18）的一周侧壁上。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述加热装置包括共同贯穿并固定在炉体（3）、石墨碳毡（13）和炉底护盘（9）上的电极护套（11），所述电极护套（11）内的一周侧壁上固定有石英环（22），所述石英环（22）内贯穿设有电极（12），所述电极（12）的上端通过电极螺栓（23）固定有L型加热器（5），两个L型加热器（5）分别位于石英坩埚（19）的两侧。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述上保温罩（20）、中保温罩（4）和下保温罩（7）均采用炭纤维无纬布与薄炭纤维网胎制成。

5.根据权利要求2所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述支撑块（27）和坩埚托盘（8）为一体成型。

6.根据权利要求2所述的一种单晶硅生长装置，其特征在于：所述螺纹盲孔（25）的数量为5-8个。