[实用新型]应用于锁相环系统的锁相加速电路及锁相环系统有效

专利信息
申请号: 201921661180.2 申请日: 2019-10-07
公开(公告)号: CN210469271U 公开(公告)日: 2020-05-05
发明(设计)人: 韩怀宇;邵要华;赵伟兵 申请(专利权)人: 珠海市一微半导体有限公司
主分类号: H03L7/18 分类号: H03L7/18
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 519000 广东省珠海*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 应用于 锁相环 系统 相加 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于锁相环系统的锁相加速电路,该锁相加速电路适用的锁相环包括:鉴频鉴相器、电荷泵、压控振荡器、低通滤波器和分频器,鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器和分频器依次连接形成一个反馈环路,其特征在于,所述锁相加速电路包括偏移电压产生模块和电流注入控制模块;

低通滤波器的信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,低通滤波器的电容输入端连接电流注入控制模块的信号输出端,其中,低通滤波器的电容输入端是:低通滤波器内部的阻容串联支路中,电阻及其串联的电容的连接节点;电流注入控制模块的一个信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,电流注入控制模块的另一个信号输入端连接偏移电压产生模块的信号输出端,电流注入控制模块的信号输出端同时连接低通滤波器的电容输入端和偏移电压产生模块的信号输入端。

2.根据权利要求1所述锁相加速电路,其特征在于,所述电流注入控制模块包括:第二运算放大器、电源、第一NMOS管和第二NMOS管;

第二运算放大器的正相输入端作为所述电流注入控制模块的一个信号输入端,连接所述低通滤波器的信号输入端; 第二运算放大器的负相输入端作为所述电流注入控制模块的另一个信号输入端,连接所述偏移电压产生模块的信号输出端;

第二运算放大器的信号输出端连接第二NMOS管的栅极,第二NMOS管的源极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端,使得第二NMOS管作为开关NMOS管;

第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的源极,第一NMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极,第一NMOS管的漏极连接电源,使得第一NMOS管作为限流MOS管。

3.根据权利要求2所述锁相加速电路,其特征在于,在所述电流注入控制模块中:

如果所述第二NMOS管被换成第一PMOS管,那么在所述第二运算放大器的信号输出端与第一PMOS管的栅极之间增加连接一个反相器装置;第一PMOS管的漏极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端;第一PMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,其他元器件及其连接关系不变;

如果所述第二运算放大器的正相输入端及其负相输入端的连接关系互换,那么在所述第二运算放大器的信号输出端与第二NMOS管的栅极之间增加连接一个反相器装置,其他元器件及其连接关系不变;

如果所述第二NMOS管被换成第一PMOS管,且所述第二运算放大器的正相输入端及其负相输入端的连接关系互换,那么所述第二运算放大器的信号输出端连接第一PMOS管的栅极;第一PMOS管的漏极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端;第一PMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,其他元器件及其连接关系不变。

4.根据权利要求3所述锁相加速电路,其特征在于,在所述电流注入控制模块中:所述第一NMOS管换作第二PMOS管,第二PMOS管的源极连接所述电源,第二PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极共同连接所述第一PMOS管的源极或者所述第二NMOS管的漏极。

5.根据权利要求2或3所述锁相加速电路,其特征在于,所述偏移电压产生模块包括:第一运算放大器、第一电阻和第二电阻;

第一电阻的一端连接第一运算放大器的负相输入端,第一电阻的另一端连接第一运算放大器的信号输出端;第二电阻的一端连接第一运算放大器的负相输入端,第二电阻的另一端接地;

第一运算放大器的正相输入端作为所述偏移电压产生模块的信号输入端,连接所述低通滤波器的电容输入端,也是连接所述电流注入控制模块的信号输出端;

第一运算放大器的信号输出端作为所述偏移电压产生模块的信号输出端,用于为所述电流注入控制模块提供一个大于所述低通滤波器的电容输入端电压信号一个预设增值的偏移电压信号,该偏移电压随着电容输入端电压的变化而变化。

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