[实用新型]一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件有效
| 申请号： | 201921723357.7 | 申请日： | 2019-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN210272371U | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张啸;苏海伟;赵德益;李洪;赵志方;王允;吕海凤;蒋骞苑;冯星星;李亚文 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低残压大 浪涌 单向 tvs 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种低残压大浪涌单向骤回TVS器件，其特征在于，包括N型衬底，N型衬底上方设置P型外延层，P型外延层上设置SN层和SP层，SN层和SP层通过深槽隔离。
2.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回TVS器件，其特征在于，所述P型外延层与SN层和SP层之间设置PWell层。
3.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回TVS器件，其特征在于，所述P型外延层与SN层和SP层之间设置NWell层。
4.根据权利要求1所述的低残压大浪涌单向骤回TVS器件，其特征在于，SN层的面积占整个芯片面积的70％-90％，SP层的面积占整个芯片面积的10％-30％。
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