[实用新型]一种改善的PON_ONU语音摘机电路有效

专利信息
申请号: 201921980767.X 申请日: 2019-11-17
公开(公告)号: CN210431552U 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 徐浩;陈传荣 申请(专利权)人: 深圳特发东智科技有限公司
主分类号: H04M1/74 分类号: H04M1/74
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 改善 pon_onu 语音 机电
【权利要求书】:

1.一种改善的PON_ONU语音摘机电路,包括:依次连接的供电电路、升压电路、储能滤波电路和滤波电路;所述升压电路包括:第一三极管(VQ1),第三三极管(VQ3)、电感(VL2)、若干电阻并联形成的电阻对和二极管(VD4);所述第一三极管(VQ1)的基极和所述第三三极管(VQ3)的基极连接;所述第一三极管(VQ1)的集电极和所述第三三极管(VQ3)的集电极连接;所述第一三极管(VQ1)的发射极和所述第三三极管(VQ3)的发射极连接;所述二极管(VD4)的阴极和所述第一三极管(VQ1)的集电极连接,阳极和所述储能滤波电路连接;所述电感(VL2)的一端和所述二极管(VD4)的阴极连接,另一端和所述电阻对的一端连接;所述电阻对的另一端接地;

所述改善的PON_ONU语音摘机电路还包括:第一电阻(VR31)、第二电阻(VR35)、第三电阻(VR33)、第二三极管(VQ2);所述第一电阻(VR31)的一端连接在所述第一三极管(VQ1)的基极,另一端连接在所述第二三极管(VQ2)的集电极,所述第二电阻(VR35)的一端和所述第二三极管(VQ2)的发射极连接,另一端和所述第三电阻(VR33)连接;其特征在于:

还包括加速电容(VC26),所述加速电容(VC26)的一端连接在所述第二电阻(VR35)和所述第三电阻(VR33)之间,另一端连接在所述第一三极管(VQ1)的基极上。

2.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述升压电路还包括:第四电阻(VR28),其两端分别连接在所述第一三极管(VQ1)的发射极和基极上。

3.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述电阻对包括并联在一起的第五电阻(VR36)、第六电阻(VR37)、第七电阻(VR38)和第八电阻(VR39)。

4.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述储能滤波电路包括并联在一起的第一电容(VC27)和第一有极电容(VEC4)。

5.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述滤波电路包括:并联在一起的第二电容(VC28)和第二有极电容(VEC5);所述滤波电路的一端接地,另一端通过第九电阻(VR30)和所述储能滤波电路连接。

6.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述供电电路包括:第十电阻(VR40)、第十一电阻(VR41)和第三电容(VC29);所述第十一电阻(VR41)和所述第三电容(VC29)并联后一端接地,另一端和所述第十电阻(VR40)的一端连接,所述第十电阻(VR40)的另一端连接所述电阻对。

7.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于: 所述第一三极管(VQ1)为PNP型,所述第二三极管(VQ2)为NPN型。

8.如权利要求1所述的改善的PON_ONU语音摘机电路,其特征在于:所述第三三极管(VQ3)为PNP型。

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