[实用新型]功率变压器有效
| 申请号： | 201922321469.6 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN212136201U | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 代克;危建;颜佳佳 | 申请（专利权）人： | 南京矽力微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/30 | 分类号： | H01F27/30;H01F27/245;H01F41/00;H01F41/02;H01F41/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210042 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 变压器 | ||
1.一种功率变压器，其特征在于，包括：
有且仅有一个磁体层；以及，
至少一个初级绕组层和至少一个次级绕组层，其所在的平面均与所述磁体层平行；
其中，在所述变压器的垂直方向上，所述初级绕组层以及所述次级绕组层位于所述磁体层的同一侧。
2.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述磁体层为片状的薄膜磁体。
3.根据权利要求2所述的功率变压器，其特征在于，所述片状的薄膜磁体为流延铁氧体薄膜。
4.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层利用IC封装工艺实现。
5.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层利用PCB板工艺实现。
6.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述次级绕组层临近所述磁体层，所述初级绕组层临近所述次级绕组层。
7.根据权利要求6所述的功率变压器，其特征在于，在所述变压器的垂直方向上，所述磁体层位于所述次级绕组层的第一侧，所述初级绕组层位于所述次级绕组层的第二侧，其中，所述次级绕组层的第一侧与第二侧相对。
8.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述初级绕组层和次级绕组层的出线端均设在远离所述磁体层的一侧。
9.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述磁体层的面积不小于所述初级绕组层中线圈的主体部分的面积，且不小于所述次级绕组层中线圈的主体部分的面积。
10.根据权利要求1所述的功率变压器，其特征在于，所述磁体层的材料为锰锌铁氧体、镍锌铁氧体、铁粉、金属粉芯、非晶带材、纳米晶带材之一。
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