[实用新型]层叠母线及功率单元有效
申请号: | 201922343710.5 | 申请日: | 2019-12-24 |
公开(公告)号: | CN211046782U | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 袁小峰;王猛;高保峰 | 申请(专利权)人: | 新疆金风科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/00 | 分类号: | H02M7/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 刘敏 |
地址: | 830026 新疆维吾尔自治区乌*** | 国省代码: | 新疆;65 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 母线 功率 单元 | ||
1.一种层叠母线,用于连接功率模块(M1)和电容池模块,其特征在于,所述层叠母线包括依次层叠设置的第一绝缘板(11)、正极板(12)、第二绝缘板(13)、负极板(14)及第三绝缘板(15);
所述正极板(12)和所述负极板(14)通过所述第一绝缘板(11)、所述第二绝缘板(13)和所述第三绝缘板(15)完全搭接,并形成弯折连接的第一侧部(10)和第二侧部(20);
所述第一侧部(10)上设置有用于与所述功率模块(M1)连接的第一正极接线端(101)和第一负极接线端(102);所述第一正极接线端(101)穿过所述第一绝缘板(11)与所述正极板(12)接触,所述第一负极接线端(102)穿过所述第三绝缘板(15)与所述负极板(14)接触;
所述第二侧部(20)上设置有用于与所述电容池模块连接的第二正极接线端(201)和第二负极接线端(202);所述第二正极接线端(201)穿过所述第一绝缘板(11)与所述正极板(12)接触,所述第二负极接线端(202)穿过所述第三绝缘板(15)与所述负极板(14)接触。
2.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第一侧部(10)与所述第二侧部(20)之间的弯折处为倒角结构。
3.根据权利要求2所述的层叠母线,其特征在于,所述第一侧部(10)与第二侧部(20)之间的弯折处为弧形面结构。
4.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第一侧部(10)远离第二侧部(20)的边缘上开设有多个豁口(103);
所述功率模块(M1)通过所述第一正极接线端(101)和所述第一负极接线端(102)与所述第一侧部(10)连接时,所述豁口(103)用于将所述功率模块(M1)的芯温采样接口裸漏在外。
5.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第一侧部(10)靠近弯折处设置有支撑开口(104),用于连接支撑件(40),以将所述层叠母线通过所述支撑件(40)固定。
6.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第二侧部(20)靠近弯折处设有导向开口(203),用于引导所述层叠母线与所述电容池模块连接。
7.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第一正极接线端(101)和所述第一负极接线端(102)沿第一方向(X)成列交替设置于所述第一侧部(10),所述第一方向(X)为所述第一侧部(10)的长度方向。
8.根据权利要求7所述的层叠母线,其特征在于,至少两列所述第一正极接线端(101)和所述第一负极接线端(102)沿第二方向(Y)间隔分布于所述第一侧部(10),所述第一方向(X)与所述第二方向(Y)垂直。
9.根据权利要求1所述的层叠母线,其特征在于,所述第二正极接线端(201)和所述第二负极接线端(202)沿第二方向(Y)成列交替设置于所述第二侧部(20),所述第二方向(Y)为所述第二侧部(20)的宽度方向。
10.一种功率单元,其特征在于,包括:
功率模块(M1),设置为IGBT模块、MOSFET模块和IGCT模块中的任一者;
电容池模块;
如权利要求1至9任一项所述的层叠母线,所述层叠母线的第一侧部(10)用于连接所述功率模块(M1),第二侧部(20)用于连接所述电容池模块。
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