[发明专利]具有发光堆叠结构的显示装置在审
申请号: | 201980002745.2 | 申请日: | 2019-01-02 |
公开(公告)号: | CN110709995A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 李贞勳;蔡钟炫 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张晓;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光堆叠 像素块 基底 同一像素 显示装置 最短距离 | ||
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
彼此间隔开的多个像素块,所述多个像素块中的每个包括:基底;以及多个发光堆叠结构,设置在所述基底上,
其中,同一像素块中的两个相邻发光堆叠结构之间的距离基本等于不同像素块中的两个相邻发光堆叠结构之间的最短距离。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个像素块中的每个具有基本相同的形状。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中:
所述基底具有大致多边形形状;并且
所述多个发光堆叠结构设置在多边形形状的顶点处。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中:
所述基底具有大致三角形形状;并且
所述多个发光堆叠结构设置在三角形形状的顶点处。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个发光堆叠结构沿第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向中的至少一个方向基本规则地布置。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个像素块具有彼此不同的形状。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底包括硅基底。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中,所述基底包括穿透电极,穿透电极穿透基底的上表面和下表面并电连接到发光堆叠结构。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述多个发光堆叠结中的每个包括一个在另一个上顺序地设置的多个外延子单元,发射不同颜色的光,并具有叠置的发光区域,并且
所述多个外延子单元中的至少一个外延子单元具有与外延子单元中的另一外延子单元的面积不同的面积。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个外延子单元的面积沿第一方向逐渐减小。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,上外延子单元与下外延子单元完全叠置。
12.根据权利要求9所述的显示装置,其中:
从所述多个外延子单元中的每个发射的光具有不同的能带,并且
所述光的能带沿第一方向逐渐增加。
13.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个外延子单元中的每个是可独立驱动的。
14.根据权利要求9所述的显示装置,其中,从下外延子单元发射的光被构造为通过设置在下外延子单元上的外延子单元而发射到显示装置的外部。
15.根据权利要求14所述的显示装置,其中,上外延堆叠件被构造为透射从下外延堆叠件发射的光的大约80%或更多。
16.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述多个外延子单元包括:
第一外延堆叠件,被构造为发射第一颜色光;
第二外延堆叠件,设置在所述第一外延堆叠件上,以发射具有与第一颜色光的波段不同的波段的第二颜色光;以及
第三外延堆叠件,设置在所述第二外延堆叠件上,以发射具有与第一颜色光和第二颜色光的波段不同的波段的第三颜色光。
17.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一颜色光、所述第二颜色光和所述第三颜色光分别为红光、绿光和蓝光。
18.根据权利要求16所述的显示装置,其中,所述第一外延堆叠件、所述第二外延堆叠件和所述第三外延堆叠件中的每个包括:
p型半导体层;
活性层,设置在所述p型半导体层上;以及
n型半导体层,设置在所述活性层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980002745.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光传感器和有机发光二极管显示屏
- 下一篇:低泄漏场效应晶体管
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的