[发明专利]溅射靶材

说明书

本发明以提供溅射时难以发生破裂的靶材(2)为课题，为了解决所述课题，提供一种溅射靶材(2)，其是包含含有Ta和Cr且余量为不可避免的杂质的合金的溅射靶材(2)，通过三点弯曲试验测定的抗折强度为400MPa以上。

技术领域

本发明涉及用于形成金属的薄膜的溅射中使用的溅射靶材。

背景技术

作为电脑、数码家电等外部记录装置，使用硬盘。一般的硬盘中，采用面内记录方式和垂直磁记录方式中的任一种。对于近年来的硬盘，有提高记录密度的要求。从该观点出发，垂直磁记录方式成为主流。垂直磁记录方式的硬盘中，高密度化与记录磁化的稳定能够被兼顾。

日本专利第4499044号公报中，公开了一种具有层叠体和在该层叠体上成膜的记录膜的磁记录介质。该层叠体在由玻璃、铝合金等构成的基板上形成。该层叠体具有密合层、软磁性基底层、籽晶层和中间层。该密合层是材质为Ni-Ta合金的膜。该膜能够通过溅射成膜。

溅射中使用靶材。作为溅射靶材的制造方法，已知真空熔解、电子束熔解等铸造法、使用将多种粉末混合而得到的混合粉末的烧结法、以及使用合金粉末的烧结法。日本特开2000-206314号公报中，公开了一种基于热等静压机的烧结方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第4499044号公报

专利文献2：日本特开2000-206314号公报

发明内容

发明要解决的问题

以往的溅射靶材强度差。密合层较厚，因而溅射需要时间。为了缩短密合层的成膜的时间，有时使用大功率。大功率下的溅射中，在溅射靶材中发生热应力应变。由于该应变，有时溅射靶材破裂。此外，由于大功率，有时在溅射靶材中产生颗粒。

本发明的目的在于提供溅射时难以发生破裂的靶材。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方案，提供以下的溅射靶材。

[1]一种溅射靶材，其是包含含有Ta和Cr且余量为不可避免的杂质的合金的溅射靶材，通过三点弯曲试验测定的抗折强度为400MPa以上。

[2]根据[1]所述的溅射靶材，其相对密度为97％以上。

[3]根据[1]或[2]所述的溅射靶材，其具有Cr相、Ta相和Cr₂Ta相。

[4]根据[3]所述的溅射靶材，其X射线衍射(XRD)图案中的Cr₂Ta(220)的强度相对于Ta(110)的强度的比率Px为10％以下。

[5]根据[3]或[4]所述的溅射靶材，其中，在上述Cr相的表面存在上述Cr₂Ta相，上述Cr₂Ta相的厚度Tave为30μm以下。

[6]根据[1]～[5]中任一项所述的溅射靶材，其中，Ta的含量为20at％以上且90at％以下，Cr的含量为10at％以上且80at％以下。

根据本发明的另一方案，提供一种本发明涉及的溅射靶材的制造方法，其包括以下的工序：

将材质为Cr的粉末与材质为Ta的粉末混合，得到混合粉末的工序；和

将上述混合粉末在1000℃以上且1350℃以下的温度下进行加压的工序。

发明效果

本发明涉及的靶材中，在溅射时难以发生破裂。

附图说明