[发明专利]在表面上预先固定半导体芯片的方法、制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种用于在表面（20）上固定半导体芯片（10）的方法，

其中在所述半导体芯片（10）的安装面上施加焊料连接（30），

在所述焊料连接（30）的背离所述安装面的侧上施加金属粘接层（40），

将所述表面（20）预热到温度T1，将所述金属粘接层（40）与经过预热的表面（20）机械接触，其中所述金属粘接层（40）在与经过预热的表面（20）机械接触时至少部分熔化，然后将所述表面（20）冷却至室温，其中所述半导体芯片（10）至少部分冶金地连接到所述表面（20）。

2.根据前述权利要求所述的方法，其中，所述金属粘接层（40）的固相线温度≤T1。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述焊料连接（30）的固相线温度T1。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，在所述焊料连接（30）和所述金属粘接层（40）之间施加阻挡层（50）。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述焊料连接（30）具有Sn或基于Sn的合金或由Sn或基于Sn的合金组成。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属粘接层（40）具有选自由SnIn、SnBi和In构成的组的材料。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的方法，其中，所述阻挡层（50）具有选自由Ti和Ni构成的组的材料。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，将所述焊料连接（30）以电镀的方式沉积到所述安装面上。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，以从20μm至50μm的范围中选择的厚度来施加所述焊料连接（30）。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述金属粘接层（40）被蒸镀上或溅镀上。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，以从1μm至5μm的范围中选择的厚度来施加所述金属粘接层（40）。

12.根据权利要求4至11中任一项所述的方法，其中，所述阻挡层（50）被蒸镀上或溅镀上。

13.根据权利要求4至12中任一项所述的方法，其中，以从10μm至50μm的范围中选择的厚度来施加所述阻挡层（50）。

14.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述表面（20）包括印刷电路板或壳体的安装面。

15.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括安装在表面（20）上的至少一个半导体芯片（10），其中根据权利要求1至14中任一项所述的方法在表面上固定半导体芯片（10），然后将所述半导体芯片焊接到所述表面（20）上以形成最终得到的焊料连接（60）。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述焊接在还原性气氛中执行。

17.根据权利要求15或16中任一项所述的方法，其中，在大于或等于所述焊料连接（30）的液相线温度的温度T2时执行所述焊接。

18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，其中，在所述焊接时完全熔化所述焊料连接（30）和所述金属粘接层（40），并且形成最终得到的焊料连接（60），所述最终得到的焊料连接包括在其组成方面与所述焊料连接（30）和所述金属粘接层（40）不同的合金。

19.一种半导体器件，其具有安装在表面（20）上的至少一个半导体芯片（10），所述半导体器件是借助于根据权利要求15至18中任一项所述的方法制造的。