[发明专利]具有止蚀层的MEMS显示装置在审
申请号: | 201980045088.X | 申请日: | 2019-07-03 |
公开(公告)号: | CN112368233A | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 房雄·石井;维克托·斯通;鸟俊孝 | 申请(专利权)人: | 依格耐特有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81C1/00 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 止蚀层 mems 显示装置 | ||
1.一种微电子机械系统(MEMS)装置,包括:
基板;
在所述基板上的电子电路;
电连接到所述电子电路的电极;
可移动元件,所述可移动元件通过在所述电极与所述可移动元件之间施加电压来控制;
在所述电极与所述电子电路之间的绝缘层,所述绝缘层具有将所述电极与所述电子电路电连接的通孔;以及
在所述绝缘层上的止蚀层,所述止蚀层由氮化铝或氧化铝中的至少一种制成。
2.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中所述止蚀层在所述可移动元件与所述电极之间。
3.根据权利要求2所述的MEMS装置,还包括:
用于支撑所述可移动元件的导电支撑件,所述导电支撑件安装在所述电极上并延伸穿过所述止蚀层。
4.根据权利要求1所述的MEMS装置,其中所述电极安装在所述止蚀层上。
5.根据权利要求1或2所述的MEMS装置,其中所述止蚀层是溅射的氧化铝。
6.根据权利要求1或2所述的MEMS装置,其中所述止蚀层是通过原子层沉积形成的、由氧化铝制成的膜。
7.根据权利要求1或2所述的MEMS装置,其中连接至所述通孔的所述电极和所述通孔均包括钨。
8.根据权利要求1或4所述的MEMS装置,其中所述电极沿着其安装表面的尺寸是与其电连接的所述通孔的半径的至少两倍。
9.根据权利要求1或4所述的MEMS装置,其中所述可移动元件是具有垂直铰链的反射镜,所述垂直铰链垂直于所述基板的安装表面。
10.根据权利要求9所述的MEMS装置,还包括:
具有垂直铰链的阻挡件,所述阻挡件与所述基板的安装表面平行延伸,所述阻挡件的尺寸足以使其在所述反射镜倾斜时与所述反射镜接触,以防止所述反射镜与MEMS装置的任何其他部分接触。
11.一种在基板上制造微电子机械系统(MEMS)装置的方法,包括:
在基板上形成电子电路;
在所述基板上形成绝缘层;
形成包括贯孔的通孔,所述贯孔延伸穿过所述绝缘层并填充有电连接到所述电子电路的导电材料;
在所述绝缘层上形成连接到所述通孔的电极;
在所述绝缘层上形成止蚀层,所述止蚀层由氮化铝或氧化铝中的至少一种制成;
形成与所述电极连接的垂直铰链;
在所述绝缘层上形成牺牲层;
形成与所述垂直铰链连接的可移动元件;和
通过氢氟酸蒸气去除所述牺牲层。
12.根据权利要求11所述的方法,其中在形成所述电极之后形成所述止蚀层,使得所述止蚀层在所述可移动元件与所述电极之间。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述电极是使用镶嵌工艺形成的。
14.根据权利要求11所述的方法,其中在形成所述止蚀层之后形成所述电极,使得所述电极形成在所述止蚀层上。
15.根据权利要求12或14所述的方法,其中形成所述止蚀层包括在所述绝缘层上溅射氧化铝。
16.根据权利要求12或14所述的方法,其中形成所述止蚀层包括使用原子层沉积在所述绝缘层上形成由氧化铝制成的膜。
17.根据权利要求11或12所述的方法,其中所述电极沿着其安装表面延伸的尺寸是所述通孔的半径r的两倍以上。
18.根据权利要求11或12所述的方法,其中形成所述通孔包括使用镶嵌工艺形成所述通孔。
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