[发明专利]层叠体及层叠体的制造方法在审
申请号: | 201980046969.3 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112423983A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 山田绘美;佐藤诚;都地辉明;藤信男 | 申请(专利权)人: | 东丽KP薄膜股份有限公司 |
主分类号: | B32B15/082 | 分类号: | B32B15/082;B32B15/08;B32B15/20;H05K1/03;H05K3/38 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 制造 方法 | ||
1.层叠体,其在氟膜的至少一面具有层叠了1层或2层以上的金属层的金属膜,
所述金属膜包含以铜为主成分的层(以下,称为铜层1)作为金属层,
在所述氟膜与所述金属膜的界面将金属膜剥离,所述金属膜侧的剥离面的基于X射线光电子能谱法(XPS)分析所检测出的氟原子为50atomic%以上、金属原子为4atomic%以下。
2.如权利要求1所述的层叠体,其中,在所述氟膜与所述金属膜的界面将金属膜剥离,所述金属膜侧的剥离面的基于X射线光电子能谱法(XPS)分析所检测出的氧原子为0.1atomic%以上且3atomic%以下。
3.如权利要求1或2所述的层叠体,其中,在所述氟膜与所述金属膜的界面将金属膜剥离,将所述金属膜侧的剥离面的基于X射线光电子能谱法(XPS)分析所检测出的归属于C1s的峰设为100%时,键合状态为CF的比例为2.5%以下。
4.如权利要求1至3中任一项所述的层叠体,其中,所述铜层1的平均晶体粒径为50nm以上且200nm以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的层叠体,其中,所述金属膜从所述氟膜的一侧起按基底金属层、及所述铜层1的顺序层叠,所述基底金属层与所述铜层1接触。
6.如权利要求5所述的层叠体,其中,所述基底金属层包含选自由铜、镍、钛、及含有它们中的至少一种的合金组成的组中的至少一者。
7.如权利要求5或6所述的层叠体,其中,所述基底金属层的厚度为1nm以上且50nm以下。
8.如权利要求1至7中任一项所述的层叠体,其中,所述金属膜的厚度为0.05μm以上且20μm以下。
9.如权利要求1至8中任一项所述的层叠体,其中,所述铜层1的厚度为0.05μm以上且3.0μm以下。
10.如权利要求1至9中任一项所述的层叠体,其中,所述金属膜的不与氟膜接触的面的表面粗糙度Ra为0.01μm以上且0.10μm以下。
11.如权利要求1~10中任一项所述的层叠体,其中,所述金属膜为层叠有3层以上的金属层的金属膜。
12.如权利要求1~11中任一项所述的层叠体,其中,所述金属膜包含以铜为主成分的层(以下,称为铜层2)作为金属层,
所述铜层2的一个面与所述铜层1接触。
13.层叠体的制造方法,其为权利要求1~12中任一项所述的层叠体的制造方法,
其中,利用溅射法在氟膜的至少一面形成基底金属层,利用真空蒸镀法在所述基底金属层上形成铜层1。
14.氟树脂电路基板的制造方法,其为使用了权利要求1~12中任一项所述的层叠体的氟树脂电路基板的制造方法,
其中,使用电镀在层叠体的铜层1上形成铜层2,从而形成布线电路。
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