[发明专利]包含碳化硅晶片的半导体晶片以及SiC半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅半导体装置的制造方法，是使用在碳化硅晶片(10a，21)的表面具备由碳化硅构成的外延层(10b，22)的半导体晶片(10)进行半导体元件(21～32)的形成的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，

包括：

准备上述碳化硅晶片的工序；

使上述碳化硅晶片的表面和背面平坦化的工序；

在上述平坦化之后在上述碳化硅晶片的表面使上述外延层外延生长的工序；

通过表面形状测定装置，进行上述外延层的表面的平坦度的评价的工序；以及

使用上述平坦度的评价后的上述半导体晶片，进行上述半导体元件的形成的工序；

进行上述平坦度的评价的工序中，通过上述表面形状测定装置，在评价区内，进行上述外延层的多个点的高度测定后，进行基于该测定的高度的最小二乘法的运算从而决定表面基准面，进而，在中心位置与上述评价区相同并且范围与上述评价区不同的曝光区内，以上述表面基准面为基准，将最高位置的高度设为α，将最低位置的高度设为β，将弯曲值设为|α|+|β|，求出每个上述曝光区的上述弯曲值，满足该弯曲值为1μm以下的条件。

2.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，

进行上述平坦度的评价的工序中，将上述碳化硅晶片中的包含外缘的5μm的区域设为无效区，将除了该无效区以外的区域设为有效区，在上述有效区内，设定多个上述曝光区，在多个上述曝光区中的90％以上中，满足上述弯曲值为1μm以下的条件。

3.如权利要求1所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，

进行上述半导体元件的形成的工序中，该半导体元件的构成要素的最小加工尺寸被设为0.3～0.8μm。

4.如权利要求1～3中任一项所述的碳化硅半导体装置的制造方法，其特征在于，

进行上述半导体元件的形成的工序中，作为上述半导体元件而形成纵型MOSFET。