[发明专利]用于裸晶片检查的系统和方法在审
申请号: | 201980048425.0 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN112740362A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 方伟;汪苏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/12 | 分类号: | H01L21/12;H01L21/68;G01N21/95;H01J37/21;H01L21/66;H01L29/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 检查 系统 方法 | ||
1.一种缺陷复查工具,包括:
与电子束检查工具通信的控制器,所述控制器具有电路以:
经由光学成像工具采集裸晶片上的缺陷的坐标;
将所述电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸,以定位所述裸晶片上的所述缺陷的子集;
基于所述裸晶片的扫描期间由所述电子束检查工具产生的检查数据,确定所述缺陷的所述子集中每个缺陷在所述裸晶片上的位置;
基于所述缺陷的子集的经确定的位置,来调整所述缺陷的所述坐标;以及
将所述电子束检查工具的所述FoV设置为第二尺寸,以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
2.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述第一尺寸大于所述第二尺寸。
3.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述裸晶片是未图案化晶片。
4.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括:所述控制器具有电路以:
基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置,确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系;
基于所述转换关系,将经由光学成像工具所采集的坐标映射到新的坐标集合;以及
将新的坐标集合设置为经调整的坐标。
5.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有电路以基于所述缺陷的所述子集的经确定的位置来调整所述缺陷的所述坐标包括:所述控制器具有电路以:
选择一定数目的缺陷;
控制所述电子束检查工具定位所选择的缺陷;
基于所述检查数据确定所选择的缺陷的位置;
基于所选择的缺陷的经确定的位置,确定针对所述缺陷的所述坐标的转换关系;以及
基于所述转换关系调整所述缺陷的所述坐标。
6.根据权利要求5所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有用以选择至少两个缺陷作为所述缺陷的所述子集的电路。
7.根据权利要求5所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有电路以将所述电子束检查工具的所述FoV设置为所述第二尺寸包括:所述控制器具有电路以:
控制所述电子束检查工具定位第一缺陷,所述第一缺陷与所选择的缺陷不同;
基于所述检查数据确定所述第一缺陷的位置;
确定所述第一缺陷的经确定的位置与所述第一缺陷的经调整的坐标之间的差值;以及
当所述差值等于或低于预定阈值时,将所述电子束检查工具的所述FoV更改为所述第二尺寸,以基于经调整的所述坐标定位额外缺陷。
8.根据权利要求7所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有电路以:
当所述差值超过所述预定阈值时,基于所述第一缺陷的经确定的位置来更新所述转换关系;以及
基于经更新的转换关系进一步调整所述缺陷的所述坐标。
9.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述光学成像工具是激光散射缺陷检查工具,所述激光散射缺陷检查工具具有电路以利用激光束来照射所述裸晶片并且检测从所述裸晶片散射的光。
10.根据权利要求9所述的缺陷复查工具,其中所述控制器具有电路以:
从所述光学成像工具接收光散射数据;以及
基于所述光散射数据确定所述缺陷的所述坐标。
11.根据权利要求1所述的缺陷复查工具,其中所述电子检查工具包括:
电子源,配置成产生初级电子束;
至少一个聚光透镜,用于会聚所述初级电子束;
复合物镜,用于将所述初级电子束聚焦至平台系统上的所述裸晶片,所述复合物镜包括:
第一磁透镜;
第二磁透镜,其中针对所述第一磁透镜和所述第二磁透镜两者配置共用极靴;和
静电透镜;以及
探测系统,用于探测从所述裸晶片发出的带电粒子或X射线。
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