[发明专利]用于裸晶片检查的系统和方法在审
申请号: | 201980048425.0 | 申请日: | 2019-07-17 |
公开(公告)号: | CN112740362A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 方伟;汪苏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H01L21/12 | 分类号: | H01L21/12;H01L21/68;G01N21/95;H01J37/21;H01L21/66;H01L29/66 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;胡良均 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶片 检查 系统 方法 | ||
一种晶片检查系统,包括与电子束检查工具通信的控制器,所述控制器包括电路以:经由光学成像工具采集样品上的缺陷的坐标;将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集;基于样品的扫描期间电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置;基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标;以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
本申请要求于2018年7月20日提交的美国申请62/701,466的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明一般涉及半导体晶片量测领域,并且更具体地,涉及用于使用带电粒子(例如电子)扫描工具来动态地检查裸晶片或未图案化晶片的系统和方法。
背景技术
在集成电路(IC)的制造过程中,需要对未制成或已制成的电路元件进行检查以确保它们是按照设计而被制造的,并且没有缺陷。此外,在用于制造集成电路之前,还需要对裸晶片或未图案化晶片进行检查,以确保其无缺陷或符合所要求的规格。如此,裸晶片检查过程已被集成到制造过程中。
利用光学显微镜能够看到裸晶片上的大缺陷。然而,随着晶片加工条件变得越来越严格,所关注的缺陷的尺寸低于光学显微镜的衍射极限。例如,当技术节点减小到10nm时,光学工具可能产生大量的妨害缺陷(即误报)。在某些光学检查系统中,90%的已识别缺陷可能证明是妨害缺陷。因此,对已识别的缺陷进行复查并且确认它们是否是真正的缺陷是很重要的。
发明内容
本公开的实施例涉及用于检查裸晶片的系统和方法。在某些实施例中,提供一种缺陷复查工具。所述工具包括与电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以:经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标;将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集;基于样品的扫描期间电子束检查工具所产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置;基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标;以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中,提供一种晶片检查系统。所述系统包括被配置成利用激光束来照射样品并且检测从样品散射的光的光学成像工具。所述系统也包括被配置成利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具。所述系统还包括与光学成像工具和电子束检查工具通信的控制器。所述控制器包括电路以:接收由光学成像工具产生的光散射数据;基于光散射数据确定样品上缺陷的坐标;将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集;基于样品的扫描期间通过电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置;基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标;以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中,提供一种控制器。所述控制器与利用初级电子束扫描样品以产生检查数据的电子束检查工具耦合。所述控制器包括存储指令的存储器。所述控制器也包括被配置为执行指令以使控制器进行如下操作的处理器:经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标;将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集;基于样品的扫描期间电子束检查工具所产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置;基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标;以及将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
在一些实施例中,提供一种计算机实施的晶片检查的方法。所述方法包括经由光学成像工具采集样品上缺陷的坐标。所述方法也包括将电子束检查工具的视场(FoV)设置为第一尺寸以定位缺陷的子集。所述方法也包括基于样品的扫描期间电子束检查工具产生的检查数据确定缺陷的子集中每个缺陷的位置。所述方法也包括基于缺陷的子集的经确定的位置调整缺陷的坐标。所述方法还包括将电子束检查工具的FoV设置为第二尺寸以基于经调整的坐标定位额外缺陷。
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