[发明专利]在用于LED制造的晶圆到晶圆键合之前减少材料的弯曲

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过在层状结构内产生断裂、裂缝或至少一个键合弱化的区域来减少所述层状结构的弯曲，所述层状结构包括半导体材料和在其上形成所述半导体材料的衬底；

将基底晶圆键合到所述半导体材料；

从所述半导体材料移除所述衬底；以及

穿过所述半导体材料形成多个沟槽，以产生多个发光二极管(LED)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体材料依次包括n型层、量子阱层和p型层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体材料包括GaN，并且所述衬底包括蓝宝石。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过加热所述衬底来从所述半导体材料移除所述衬底。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，通过向所述衬底施加水平力来从所述半导体材料移除所述衬底。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过将激光束聚焦在所述半导体材料和所述衬底之间的交界面处不与所述基底晶圆的像素区域竖直对准的位置，来从所述半导体材料移除所述衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在减少所述层状结构的弯曲之后，在所述半导体材料上沉积接触层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括在减少所述层状结构的弯曲之后，在所述接触层上沉积键合层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

通过在所述衬底内产生多个竖直裂缝来减少所述层状结构的弯曲，以及

通过将激光束聚焦在沿着所述衬底的竖直截面的多个位置来产生每个所述竖直裂缝。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

通过沿着所述半导体材料和所述衬底之间的交界面在物理上分离的位置处产生多个断裂来减少所述层状结构的弯曲，以及

通过将激光束聚焦在所述物理上分离的位置中的相应一个位置处，产生每个所述断裂。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，对于每个所述断裂，所述激光束聚焦在所述物理上分离的位置中的所述相应一个位置处，直到所述物理上分离的位置中的所述相应一个位置处的所述半导体材料的部分的颜色变为黑色。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

通过在所述半导体材料和所述衬底之间产生键合弱化的区域来减少所述层状结构的弯曲，以及

通过沿着所述半导体材料和所述衬底之间的交界面的一部分连续扫描激光束的焦点来产生所述键合弱化的区域。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，扫描所述激光束的焦点，使得沿着所述交界面的一部分的所述半导体材料的部分的颜色变为灰色。

14.一种方法，包括：

通过蚀刻半导体材料以形成相邻段且在所述相邻段之间具有间隙，来减少所述半导体材料和在其上形成所述半导体材料的衬底的弯曲；

将基底晶圆键合到所述半导体材料；

从所述半导体材料移除所述衬底；以及

在每个所述相邻段内穿过所述半导体材料形成多个沟槽，以产生多个发光二极管(LED)。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述半导体材料依次包括n型层、量子阱层和p型层。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述半导体材料包括GaN，并且所述衬底包括蓝宝石。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，通过加热所述衬底来从所述半导体材料移除所述衬底。