[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201980070928.8 申请日: 2019-04-08
公开(公告)号: CN113056813A 公开(公告)日: 2021-06-29
发明(设计)人: 梅田宗一郎;久徳淳志 申请(专利权)人: 新电元工业株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/48
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,包括:

基板,其表面形成有具有电极部的布线图案;

芯片,配置在所述基板上,并且在与所述基板侧相反一侧的面上形成有表面电极;以及

引线,其具有:配置在所述表面电极上并经由导电性接合材料与所述芯片的所述表面电极电连接的第一电极连接部、与所述布线图案的所述电极部电连接的第二电极连接部、以及与所述第一电极连接部以及所述第二电极连接部连接,并且作为所述第一电极连接部与所述第二电极连接部之间的电流导通路的电流导通部,

其中,从平面上看,所述引线进一步具有:设置在所述第一电极连接部的外周中未连接所述电流导通部的部分上的,将施加于设置在所述第一电极连接部与所述表面电极之间的所述导电性接合材料上的热收缩应力均等化的热收缩应力均等化结构。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:

其中,从平面上看,所述热收缩应力均等化结构具有从所述第一电极连接部向与所述电流导通部连接的一侧的相反侧延伸的延伸部。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述延伸部相对于所述第一电极连接部在与所述电流导通部连接的一侧相对称的位置上延伸。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述热收缩应力均等化结构具有设置在所述引线上的位于隔着所述第一电极连接部的相对位置上的切口或孔。

5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:

其中,所述切口或孔设置在与所述芯片的所述表面电极相对称的位置上。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:

其中,在从与所述芯片的外周相垂直的截面观看时,所述导电性接合材料上的与所述引线相接触的区域与所述表面电极的中央相对称。

7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:

其中,在从与所述芯片的外周相垂直的截面观看时,位于所述表面电极的中央的一侧的所述引线的热阻与位于所述一侧的相反侧即另一侧的所述引线的热阻相等。

8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:

引脚端子,所述引脚端子贯通所述引线,并且其一端部向外部突出,其另一端部与所述布线图案连接。

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