[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201980070928.8 | 申请日: | 2019-04-08 |
公开(公告)号: | CN113056813A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 梅田宗一郎;久徳淳志 | 申请(专利权)人: | 新电元工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/48 |
代理公司: | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人: | 郁旦蓉 |
地址: | 日本东京都千*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:
基板,其表面形成有具有电极部的布线图案;
芯片,配置在所述基板上,并且在与所述基板侧相反一侧的面上形成有表面电极;以及
引线,其具有:配置在所述表面电极上并经由导电性接合材料与所述芯片的所述表面电极电连接的第一电极连接部、与所述布线图案的所述电极部电连接的第二电极连接部、以及与所述第一电极连接部以及所述第二电极连接部连接,并且作为所述第一电极连接部与所述第二电极连接部之间的电流导通路的电流导通部,
其中,从平面上看,所述引线进一步具有:设置在所述第一电极连接部的外周中未连接所述电流导通部的部分上的,将施加于设置在所述第一电极连接部与所述表面电极之间的所述导电性接合材料上的热收缩应力均等化的热收缩应力均等化结构。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:
其中,从平面上看,所述热收缩应力均等化结构具有从所述第一电极连接部向与所述电流导通部连接的一侧的相反侧延伸的延伸部。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述延伸部相对于所述第一电极连接部在与所述电流导通部连接的一侧相对称的位置上延伸。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述热收缩应力均等化结构具有设置在所述引线上的位于隔着所述第一电极连接部的相对位置上的切口或孔。
5.根据权利要求4所述的半导体装置,其特征在于:
其中,所述切口或孔设置在与所述芯片的所述表面电极相对称的位置上。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:
其中,在从与所述芯片的外周相垂直的截面观看时,所述导电性接合材料上的与所述引线相接触的区域与所述表面电极的中央相对称。
7.根据权利要求1至6中任意一项所述的半导体装置,其特征在于:
其中,在从与所述芯片的外周相垂直的截面观看时,位于所述表面电极的中央的一侧的所述引线的热阻与位于所述一侧的相反侧即另一侧的所述引线的热阻相等。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的半导体装置,其特征在于,进一步包括:
引脚端子,所述引脚端子贯通所述引线,并且其一端部向外部突出,其另一端部与所述布线图案连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新电元工业株式会社,未经新电元工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980070928.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造